课件ch2_3 单片机芯片的硬件结构(part 1 80c51).pptVIP

⒉ 掉电保护方式(Power Down Mode) ?⑴PCON寄存器的PD位控制单片机进入掉电保护方式。 当80C51检测到电源故障时，除进行信息保护外，还应把PCON.1(PD)位置‘1’，使之进入掉电保护方式。此时单片机一切工作都停止，只有内部RAM单元的内容被保护。 ⑵ 只能依靠复位退出掉电保护方式。 80C51备用电源由RST/VPD端引入。当Vcc恢复正常后，只要硬件复位信号维持10ms，就能使单片机退出掉电保护方式，CPU则从进入掉电方式的下一条指令开始重新执行程序。 在待机和掉电保护期间引脚的状态见下表。 * 表 待机和掉电保护方式时引脚状态 * 由上表可知，80C51处于掉电方式时，ALE和/PSEN引脚输出均为低电平。这样设计的目的主要是为了便于在掉电方式下撤消对片内RAM以外电路的供电，从而进一步降低功耗。如果在执行片内程序时启动了掉电方式，那么各引脚将继续输出其相应的SFR的内容。即使80C51由片外程序进入掉电方式，P1~P2口也输出其SFR的数据，但P0口处于高阻状态。 掉电方式下，Vcc供电可降至2V。 * 2.5.4 编程方式（*：选学内容，不做考试要求） ? 对于片内具有EPROM型程序存储器的87C51(87C52) 和片内具有闪速存储器的89C51 (89C52) 、78E51 (78E52) 等单片机可以通过编程来修改程序存储器中的程序。 89C51内部有一个4KB的Flash EEROM。编程接口可接收高电压(12V) 或低电压(Vcc) 的允许编程信号。低电压编程方式可以很方便地与89C51内的用户系统进行编程；而高压编程方式则可与通用的EPROM编程器兼容。对于这二种编程方式的芯片面上的型号和片内特征字节的内容不同。 ⒈ 闪速存储器编程方式? 表A列出了89C51闪速存储器的编程、校验、写锁定位等时的逻辑电平。 * 表A 89C51闪速存储器的编程方式 * 注意：⑴ 根据特征字节(地址为032H) 的内容选择合适的编程电压(VPP=12V或5V) ⑵ 片擦除操作时，要求PROG的脉冲宽度为10ms。 ⒉ 闪速存储器编程 ⑴ 在对89C51编程前，地址、数据、控制信号必须按表A和图A设置。 ?对89C51的编程的步骤如下： 在地址线上输入要编程存储器单元地址。 在数据线上输入要写入的数据。 按图B的要求输出编程和校验的时序。 对于高压编程模式，将VPP升至12V。 * 图A 89C51的闪速存储器编程和校验 见表A 见表A * 图B 89C51的闪速存储器的编程和校验 * 每对Flash存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，要向ALE/PROG输出一个编程脉冲。 改变地址和数据，重复以上几步操作，直至目标程序(OBJ文件) 结束。 字节写周期是自动定时的，一般不超过1.5ms 。 ⑵ 查询数据 89C51可以通过数据查询来检测一个写周期是否结束。若数据未写完，则从P0.7引脚上读到的是该数据的最高位的反码。当写周期结束后，读出值即为写入值。 ⑶ 准备好/忙(RDY/BSY) 信号 从图B中可看出，编程期间ALE(/PROG)为高电平后，P3.4引脚被拉成低电平，表示BUSY编程结束后，ALE(/PROG)为低电平，表示READY 。 * ⑷ 编程校验 如果锁定位LB1和LB2没有被编程，代码数据则可读回，用来校验。锁定位不能直接被校验，只能通过观察它们的功能是否被允许而间接得到证实。 ⑸ 芯片擦除 通过正确的控制信号的组合，并保持ALE/PROG引脚脉冲宽度(低电平) 约10ms，则可对EEPROM阵列和三个锁定位进行电擦除，擦除后代码阵列全为”1” 。注意，在对程序存储器进行重新编程前必须执行片擦除操作。 ⑹ 读特征字节 89C51单片机内有三个特征字节，地址为030H、031H和032H，分别用来指示该器件的生产厂商、型号和编程电压。 * 比如： ( 030H)=1EH 表示ATMER公司生产。 (031H)=51H 表示型号为89C51 =61H 表示型号为89LV51 (032H)=FFH 表示编程电压为12V =05H 表示编程电压为5V ⒊ 程序锁定位的功能和编程 ? 80C51片内有三个锁定位，但不含密码阵列。其编程状况和特点参见表B。当第一级加密时，逻辑电压被取样并锁存。在复位期间，若器件为上电而不是复位，则锁存器内容初始化为一个随机值，直到复位操作结