金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下失效现象的实验研究 research of failure of au-si surface barrier semiconductor detector in hydrogen condition.pdfVIP

第 32卷第 1期 (总第 187期) 辐射防护通讯 2012年2月 ·研究通报 · 金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下失效现象的实验研究 涂 俊 黄宪果 穆 龙 苏容波 吴中义 (中国工程物理研究院，四川 绵阳，621900) 摘 要 当金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下使用的时候，n能峰会向低能方向飘移，直至淹没在电子学噪声 中。本文通过实验介绍了金硅面垒探测器在氢气环境下的这种失效现象，总结了失效现象的规律；提出了金硅面垒 探测器在氢气环境受影响的机理，并进行了实验验证。 关键词： 金硅面垒型半导体探测器 ； 测量；氢气 中图分类号：TL814 文献标识码：A 文章编号：1004—6356(2012)01．0018．03 0 引言 程的能谱图，观察能峰漂移的情况和规律，分析探 当金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下使 测器探测效率受氢气影响的情况，确定一个探测 用的时候，会出现a能峰向低能方向飘移，直至能 效率值作为探测器完全失效的指标，记录从开始 峰淹没在电子学噪声中，产生探测器完全失效的 充氢气到失效的时间，绘制失效时间与氢气压力 现象。将失效的探测器从氢气环境中拿出后，经 的关系曲线。对另一个探测器做重复性实验，以 过一段时间后探测器的性能又能恢复到正常情 避免现象的偶然性，并检验不同探测器受氢气影 况。在某些特殊场所及核设施退役，如既有氚污 响的差异。实验装置的结构图如图1所示。 染又有a放射性核素污染的情况下，需要在氢同 位素气体环境下进行a测量，因此，通过实验研究 来弄清金硅面垒探测器受氢气影响的理论依据， 进而找到克服影响的方法，解决在氢及其同位素 气体环境下a测量的问题具有重要意义。本文对 金硅面垒探测器在氢气环境下受影响的现象进行 了研究，并对影响的机制进行探讨和实验验证。 密封容器 1 实验方法 图1 实验装置结构示意图 实验 设备：GM20型金硅 面垒探测 器、 FM1047A型前置放大器、ORTEC570主放大器和 2 实验结果 926多道缓冲器。 实验中，分别对两个(1和2)探测器在氢气 将金硅面垒探测器和检验源放入密封容器 气压为 1×105、0．75×1 、0．5×105和0．25×105 中，将前置放大器、主放大器等电子学元器件放到 Pa下的a能谱进行测量。测量结果显示，两个探 密封容器外，这样能保证受影响的只是探测器，而 测器在不同氢气气压下，能谱受影响的现象基本 不用考虑氢气是否会对前放和主放等电子学元器 一 致，略有区别的是不同压力和不同探测器受影 件造成影响。然后，向密封容器中充入不同压力 响的时间不同。以下讨论中，选择 1探测器在 的氢气，记录从开始充氢到探测器失效的整个过 1×l05Pa氢气气压的情况进行详细说明，并给出 收稿 日期 ：2011-11—09 作者简介：涂 俊(1976．)，男 ，1999年毕业于中国科学技术大学应用物理专业 ，学士；副研究员。 一 18 一 万方数据 金硅面垒型半导体探测器在氢气环境下失效现象的实验研究 涂 俊 两个探测器在不同气压下的比较。