试验二半导体激光器P―I特性曲线的绘制.docVIP

实验二 半导体激光器P―I特性曲线的绘制 一、实验目的 学习半导体激光器的发光原理。 了解半导体激光器输出光功率与注入电流的关系。 掌握半导体激光器P-I特性曲线的测试及绘制方法。 二、实验内容 测量半导体激光器的输出光功率和注入电流，并画出P-I关系曲线。 三、实验原理 半导体激光器的输出光功率与驱动电流的关系如图2-1所示，该特性有一个转折点，相应的驱动电流称为门限电流(或称阈值电流)，用Ith表示。在阈值电流以下，激光器工作于自发发射，输出荧光，光功率很小。在门限电流以上，激光器工作于受激发射，输出激光，光功率随驱动电流迅速上升，基本成线性关系；激光器的电流与电压的关系类似于正向二极管的特性，如图2-2所示。 图2-1 激光器的功率特性 图2-2 激光器的伏安特性 阈值条件就是光谐振腔中维持光振荡的条件。设受激发射所产生的光介质的平均增益系数(单位长度上的增益)为，光介质的平均损耗系数为，则光谐振腔产生和维持光振荡的条件为光子在光谐振腔中来回反射一次所产生的光能增益大于或等于光能的损耗，用公式表示为： (2-1) 式中L为光谐振腔的长度，r1、r2分别为光谐振腔两端镜面的反射系数(Orl1;Or21)。 门限状态下的增益系数为为： （2-2） 式中Jth为门限状态下注入有源区的电流密度,为平均增益因子，其值取决于激光器的材料与结构,从电流密度Jth按下式可决定门限电流Ith 为： （2-3） 式中b为有源区宽度，ξ1为电流侧向扩展因子,可使ξ接近1，故能获得小的门限电流。激光器功率特性的线性程度对模拟光纤传输系统的非线性失真指标影响很大。 半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器与发光二极管LED不同，它通过受激辐射发光，是一种阈值器件。由于受激辐射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产生高功率(≥10mW)辐射，而且输出光发散角窄(垂直发散角为30—50°，水平发散角为0～30°)，与单模光纤的耦合效率高(约30％～50％)，辐射光谱线窄，适用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进行高速(20GHz)直接调制。 对于线性度良好的半导体激光器，输出功率可以表示为: （2-4） 其中 （2-5） 这里的量子效率ηint，表征注入电子通过受激辐射转化为光子的比例。在高于阈值区域，大多数半导体激光器的ηint接近1。 式（2-4）表明，激光输出功率决定于内量子效率和光腔损耗，并随着电流而增大，当注入电流IIth时，输出功率与I成线性关系,其增大的速率即P-I曲线的斜率，称为斜率效率 （2-6） P-I特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时，应选择阈值电流Ith尽可能小， Ith对应P值小，而且没有扭折点的半导体激光器，这样的激光器工作电流小，工作稳定性高，消光比大，而且不易产生光信号失真。同时要求P-I曲线的斜率适当，斜率太小，则要求驱动信号太大，给驱动电路带来麻烦；斜率太大，则会出现光反射噪声，使自动光功率控制环节调整困难。半导体激光器具有高功率密度和极高量子效率的特点，微小的电流变化会导致光功率输出变化，是光纤通信中最重要的一种光源，激光二极管可以看作为一种光学振荡器，要形成光的振荡，就必须要有光放大机制，也即激活介质处于粒子数反转分布，而且产生的增益足以抵消所有的损耗。将开始出现净增益的条件称为阈值条件。一般用注入电流值来标定阈值条件，也即阈值电流Ith，当输入电流小于Ith时，其输出光为非相干的荧光，类似于LED发光，当输入电流大于Ith时，则输出光为激光，且输入电流和输出光功率成线性关系，该实验就是对该线性关系进行测量，以验证P-I的线性关系。 图2-3 LD半导体激光器P-I曲线示意图 四、实验仪器 双通道示波器，光纤通信实验仪，光功率计，光跳线，万用表。 五、实验步骤 （以下实验步骤以1310nm光端机部分讲解，即实验仪左边的模块；1550nm光端机部分与其相同。） 1、关闭实验仪电源，用导线连接“模拟信号源”的正弦波输出端口和“1310nm光发送模块”的模拟信号输入端口P203。 2、将光发送模块中的激光器注入电流调节电位器R277逆时针旋转到头（即箭头最小端），将输入模拟信号