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电力电子技术评论
第二章 电力电子器件
一.复习要求
1.了解电力电子器件的分类。
2.理解和掌握晶闸管(SCR)、电力晶体管(GTR或BJT)、电力场效应晶体管(电力MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理、电气特性和主要参数。
二.复习内容
1.半控器件——晶闸管
(1)晶闸管的结构与工作原理(结构,符号,导通和关断条件);
(2)晶闸管的基本特性(正、反向特性,动态特性);
(3)晶闸管的主要参数(型号、额定电压、额定电流、维持电流、擎住电流)。
2.全控器件——GTR、MOSFET、IGBT
理解和掌握器件的容量等级、工作频率、驱动方式(电流驱动、电压驱动),器件的主要参数和特点。
器件
对触发信号
波形要求
开关
频率
单极或
双极
主要
优点
主要
缺点
SCR
(电流型半控器件)
正脉冲门极电流控制开通,触发信号不能控制关断
低
双极
通态压降小,通态损耗小
驱动功率大,频率低
GTR(电流型全控器件)
正持续基极电流控制开通,基极电流为0则关断
中
双极
通态压降小,通态损耗小
驱动功率大,频率低
器件
对触发信号波形要求
开关
频率
单极或
双极
主要
优点
主要
缺点
P-MOSFET
(电压型全控器件)
正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断
高
单极
输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,工作频率高,开关损耗小。
通态压降大(通态损耗大),电压电流定额低
IGBT
(电压型全控器件)
正持续栅极电压控制开通,负持续栅极电压控制并保持关断
较高
双极
输入阻抗高,驱动功率小,工作频率较高,开关损耗小,导通电阻低
擎住效应
第九章 电力电子器件应用的共性问题
一.复习要求
1.掌握驱动电路的基本任务和电气隔离方法。
2.掌握电力电子器件的驱动要求,驱动电路和保护措施。
3.掌握电力电子器件的串、并联使用。
二.复习内容
(1)驱动电路的概念和驱动的形式,隔离的方式。
(2)晶闸管触发电路的作用和要求。
(3)GTR的驱动电路的性质、要求和作用;
(4)MOSFET、IGBT的驱动电路的性质和要求。
(5)电力电子器件保护的种类、方法和基本原理。
(6)电力电子器件串、并联使用的目的、问题和解决措施。
习 题
一、填空
1晶闸管导通的条件为(1) ;(2) 。导通后流过晶闸管的电流由 决定。
2、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 ? ;功率场效应晶体管 ????? ;绝缘栅双极型晶体管 ?????? ;IGBT是??????? ??? 和???????????? 的复合管。
3当温度降低时,晶闸管的触发电流会 ????? 、正反向漏电流会???? ??;当温度升高时,晶闸管的触发电流会 ????? 、正反向漏电流会?????? 。
4目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有????????、??????、_____。
5 KP10—5表示的是额定电压______,额定电流_____的普通型晶闸管。
6晶闸管串联使用时,必须注意________问题。
7、型号为KP-100-3的晶闸管,其额定电压为300V,额定电流为100A,维持电流为4mA, 擎住电流为15mA,(1)将电路中串入电流表和灯泡,如果初始状态灯泡为点亮状态,加大电阻R,则灯泡逐渐变暗,最后熄灭,则熄灭前电流表读数约为 ;将电阻R调小,重新给T施加正向触发信号,灯泡逐渐变亮,将触发信号去掉,灯泡又熄灭,则熄灭前电流表的最大读数应小于 。该晶闸管的伏安特性曲线如图1所示,图中所示A点的电流为 ; Ig1、Ig2、Ig3的大小关系为: 。
图1
8.下列器件中 为半控器件、 为电流驱动型全控器件、 ________为电压驱动型全控器件:A. MOSFET、B. IGBT、C. GTR、 D. 晶闸管
9.常用隔离方法有_________和________;直流电压的直接隔离反馈应该采用 隔离方法。
10 GTR的安全工作区由_____________________、____________________、______________和____________________界定。
二、简答
1.型号为KP100-3的晶闸管,维持电流IH=4mA,使用如图2所示电路是否合理?为什么(不考虑电压电流裕量)?
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