电容陶瓷 - 高频.pptVIP

第二章 电容器陶瓷; 片状电容器贴片式多层陶瓷电容器MLCC ;1.电容的基础知识;通交隔直 在充电或放电的过程中，两极板上的电荷有积累过程，或者说极板上的电压有建立过程，因此电容器上的电压不能突变。 ;2.电容器的分类;陶瓷电容器以其体积小、容量大、结构简单、优良的高频特性、品种繁多、价格低廉、便于大批量生产而广泛应用于家用电器、通信设备、工业仪器仪表等领域。 陶瓷电容器是目前飞速发展的电子技术的基础之一,今后,随着集成电路（IC)、大规模集成电路(LSI)的发展,可以预计,陶瓷电容器将会有更大的发展。;1、对电容器瓷的一般要求： ① 介电常数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容器，ε↑→电容器体积↓→整机体积、重量↓ ② 介质损耗小，tgδ=（1~6）×10-4，保证回路的高Q值。高介电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。 ③ 对I类瓷，介电系数的温度系数αε要系列化。对II类瓷，则用ε随温度的变化率表示（非线性）。; ;2、电容器瓷分类：; ;高频介质陶瓷：制造Ⅰ类瓷介电容器（GB3663-83)的陶瓷电介质。与装置瓷、铁电陶瓷相比： ①介电常数高，8.5～900； ②介质损耗小，一般tgδ小于6×10-4； ③介电系数温度系数的范围很宽，且要求系列化。 ;一、高频电容器瓷的分类 二、 值不同的原因 三、ε的对数混合法则 四、产生高介电系数的原因 五、含钛陶瓷的介质损耗;一、 高频电容器瓷的分类; 有正、负、零，取决于不同温度下质点的极化程度，也决定于相应温度下单位体积的质点数。 a、? TiO2、CaTiO3 b、? CaSnO3、CaZrO3 c、? BaO·4TiO2 ;三、ε的对数混合法则; 由以上法则，在生产实践中，可用具有不同εi、αi材料通过改变浓度比来获得满足各种温度系数要求的材料。 如：由αε0 +αε0的瓷料获得αε≈0的瓷料。;金红石型和钙钛矿型结构的陶瓷具有特殊的结构，离子位移极化后，产生强大的局部内电场，并进一步产生强烈的离子位移极化和电子位移极化，使得作用在离子上的内电场得到显著加强，故ε大。 钛酸锶铋也是利用SrTiO3钙钛矿型结构的内电场，而加入钛酸铋等，使之产生锶离子空位，产生离子松弛极化，从而使ε增大。; ;一、 热补偿电容器瓷 二、 热稳定电容器瓷 三、 温度系数系列化的电容器瓷;一、温度补偿电容器陶瓷 高频温度补偿电容器陶瓷的介电常数在650以下，介电常数的温度系数较小，而且可通过组成的调整，使介电常数的温度系数灵活地变化。介电常数的温度系数常为负值，用来补偿回路中电感的正温度系数，使回路的谐振频率保持稳定。 1.金红石瓷 ε：80～90，αε：-750～-850×10-6/℃ 2.钛酸钙陶瓷 ε：150～160 αε：-2300×10-6/℃( -60～120 ℃) -(1500～1600)×10-6/℃( +20～80 ℃) ;1.金红石瓷 金红石瓷是一种利用较早的高介电材料，其主晶相为金红石（TiO2）。 介电系数较高：ε约80～90, αε有较大的负值约为（-750～- 850）×10-6/℃, 介质损耗很小。;（1）配方中各种组成的作用或要求; ; 由此可见，金红石结构最稳定、最紧凑、介电系数最大、性能最好，锐钛矿最差。然而，工业用TiO2主要是锐钛矿和微量的金红石，因此，必须在1200℃~1300℃氧化气氛中预烧，使TiO2全部转变为金红石结构，同时也使产品在烧结时不致因晶型转变、体积收缩过大而变形或开裂。 ;? ? Ti02的活性、晶粒大小及烧结温度与预烧温度有关。经预烧过的Ti02活性降低，因此工厂一般采用未预烧和预烧的Ti02以一定比例配合使用。;? ? ②高岭土、膨润土? ? Ti02没有可塑性，高岭土的加入可增加可塑性，降低烧结温度。当采用挤管或车坯等可塑法成型时，可塑性要求更高，需要部分膨润土代替部分高岭土，但一般应少于4％。;? ? ③碱土金属化合物? ? 由于引入部分高岭土、膨润土，带入碱金属离子，使电性能恶化，因此可利用压抑效应提高电性能。另外，也可起降低烧结温度的作用。一般CaF2加入量2～3％，ZnO为l％左右。; ④ZrO2? ? 加入ZrO2或Zr(OH)4阻止粗晶形成,促使瓷质结晶细密均匀,改善材料的防潮稳定性及频率稳定性。此外, ZrO2还有抑制铁离子还原的作用,提高瓷的电气性能。氧化锆的用量通常在5％左右。以易分解的盐和碱形式引入为宜。;（2）金红石生产中存在的问题： ? ?①严防SiO2杂质的进入。SiO2会使介电常数下降，介电常数的温度系数绝对值变小，因此，球磨必须用刚玉磨球及内衬。;（2）金红石生产中存在的问题： ??