一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子-分子”散射总截面的可加 - 物理学报.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’) ( * ( ， ， ， 2C; ,’) 0C , ( Y9?=F * （ ） !+(3T*T’) ( T !%(+* M-UM V.WEX-M EX0X-M !* -F:@ , VFZ , EC= , 一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子 分子”散射总截面 ! 的可加性规则修正方法! ）） ） ） ） ! # 施德恒 孙金锋 朱遵略 刘玉芳 !）（信阳师范学院物理电子工程学院，信阳 $%$ ） ）（河南师范大学物理与信息工程学院，新乡 $’() ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ) % !( * ! ( 在考虑分子内原子间的几何屏蔽效应随电子入射能量变化的基础上，提出了一种能够在中、高能区准确计算 “电子 分子”散射总截面的可加性规则修正方法 利用这一修正后的可加性规则并使用“电子 ， ， ， 原子”散 + , +- . / 0 射总截面的实验数据，在 — 内计算了电子被 ， ， 和 分子散射的总截面，且将计算结果 ’ ’ 12 0/ 0 / 0/ - . % 与实验结果及其他理论结果进行了比较 结果表明，利用这一方法修正过的可加性规则进行计算，所得结果要比 , 利用未修正的可加性规则及其他理论进行计算所得结果更接近实验值 同时分析也表明，为使未修正的可加性规 , 则能够在一个较大的能区内直接用于“电子 分子”散射总截面的计算，必须改造适用于“电子 自由原子”散射总截 + + 面计算的复光学势，以解决它用于“电子 分子中的原子”散射总截面的计算时，在中低能区过强、且随电子入射能 + 量的增加而衰减太快的问题, 关键词：电子散射，可加性规则，总截面，几何屏蔽效应 ： ， #$$ ($* ($!