右图表示断裂式接面热平衡下的空乏区空间电荷分布与电场分布图.ppt

* Fuh-cheng Jong 第貳章二極體 Reference Book： Microelectronic Circuits by Adel S.Sedra and Kenneth C. Smith Microelectronics by Jacob Millman Semiconductor Devices Physics and Technology by S. M. Sze p－n 接面觀念 空乏區（Depletion Region，Space Region，Transition Region）： 當p型半導體與n 型半導體相接合時，n型半導體多的游走電子會往p型半導體方向 漂移，並與p型半導體內游走的電洞結合，而形成電中性。於是靠近接面處的n 型 與p型的半導體失去這些可以自由運動的電子或電洞，成為帶有電荷的離子團，稱 為未被遮避的電荷，或者是空乏區！ 空乏區的電荷密度與接面的分佈圖常與佈植的雜質濃度分佈相關，常見的有步階 式或線性分佈等！ 這段區域的寬度只有零點幾個微米，在今天的深次微米的現在，寬度可能會更窄 ！此外，以前貝爾實驗室的奧爾就發現了這段區域的光電現象（雖然效率很差）， 不過他的發現被應用到了今天，就是所謂的太陽電池。 空乏區寬度的建立： 由於p ≈ Na，n ≈ Nd，對於透過Poisson equation，可以寫出下列的方程式： ? ，而且E 。 dx x x ò = 0 e r e r - = ? V 2 e r - = ? ? 2 2 X V p－n 接面觀念 hole electron donor accept p type n type space region junction charge density - + - + electric field E electric potential V V=0 Vo 幾個不同型態的p－n接面 斷裂式接面：右圖表示斷裂式接面熱平衡下的空 乏區空間電荷分佈與電場分佈圖。 利用卜松方程式 ▽2V＝ ∴ ▽2V＝ －Xp≦X＜0 ▽2V＝ 0≦X≦Xn ∵ NAXP＝NDXn （空間中的正負電荷必須相等） 整個空乏區的寬度W＝Xp＋Xn －Xp≦X＜0 0＜X≦Xn X＝0 ＋ X － -xp xn ND NA W -Em X area=Vbi 空乏區 p型 中性區 n型 中性區 ? W＝ √ 2eSVbi NA+ND q NAND －r e －qNA eS －qND eS ( ) ( ) ( ) ( ) S A S D m n S D S D m S p A x qN x qN E x x qN x qN E X E x x qN dx d X E e e e e e f = = - = + - = + - = - = -xp xn 2eS（Vbi＋VX） q NA 幾個不同型態的p-n接面 單邊斷裂式接面：右圖表示單邊斷裂式接面熱平