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DDR SDRAM 技术总结 2004-6-16 摘要： 本文将介绍DDR SDRAM 的一些概念和难点，主要结合上一篇SDRAM 的介绍加以对 比。同时着重讲解主流DDRII 的技术。最后结合硬件设计提出一些参考。 关键字：DDR, SDRAM ，内存模组，DQS 目录 1 概述2 2 DDR 的基本原理2 3 DDR SDRAM与SDRAM的不同3 3.1 差分时钟5 3.2 数据选取脉冲（DQS ）6 3.3 写入延迟7 3.4 突发长度与写入掩码8 3.5 延迟锁定回路（DLL ）9 4 DDR- Ⅱ与DDR-Ⅲ10 4.1 DDR- Ⅱ内存结构11 4.2 DDR- Ⅱ的新操作与新时序设计12 4.3 DDR- Ⅱ未来发展与DDR-Ⅲ17 5 内存模组23 5.1 内存模组的分类23 5.2 未来模组的技术发展24 1 1 概述 DDR SDRAM 全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDR SDRAM 在原有的 SDRAM 的基础上改进而来。也正因为如此，DDR 能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM，成为当 今的主流。由于SDRAM 的结构与操作在上文已有详细阐述，所以本文只着重讲讲DDR 的原理和DDR SDRAM 相对于传统SDRAM （又称SDR SDRAM ）的不同。 （上图可点击放大） DDR SDRAM 可在一个时钟周期内传送两次数据 2 DDR 的基本原理 我们看DDR 正规的时序图。 DDR SDRAM 读操作时序图 从中可以发现它多了两个信号： CLK#与DQS，CLK#与正常CLK 时钟相位相反，形成差分时钟信号。而数据 的传输在CLK 与CLK#的交叉点进行，可见在CLK 的上升与下降沿（此时正好是CLK#的上升沿）都有数据被 2 触发，从而实现DDR。在此，我们可以说通过差分信号达到了DDR 的目的，甚至讲CLK#帮助了第二个数据的 触发，但这只是对表面现象的简单描述，从严格的定义上讲并不能这么说。之所以能实现DDR，还要从其内部 的改进说起。 （上图可点击放大） DDR 内存芯片的内部结构图，注意比较上文中SDRAM 的结构图 这也是一颗128Mbit 的内存芯片，标称规格也与前文的SDRAM 一样为32 ×4bit 。从图中可以看出来，白 色区域内与SDRAM 的结构基本相同，但请注意灰色区域，这是与SDRAM 的不同之处。首先就是内部的L-Bank 规格。SDRAM 中L-Bank 存储单元的容量与芯片位宽相同，但在DDR SDRAM 中并不是这样，存储单元的容量 是芯片位宽的一倍，所以在此不能再套用讲解SDRAM 时 “芯片位宽=存储单元容量” 的公式了。也因此，真 正的行、列地址数量也与同规格SDRAM 不一样了。 以本芯片为例，在读取时，L-Bank 在内部时钟信号的触发下一次传送8bit 的数据给读取锁存器，再分成两 路4bit 数据传给复用器，由后者将它们合并为一路4bit 数据流，然后由发送器在DQS 的控制下在外部时钟上升 与下降沿分两次传输4bit 的数据给北桥。这样，如果时钟频率为100MHz，