教材分析 MIT机电工程与计算机科学系【中文课程】6.012.微电子器件和电路.Microelectronic.Devices.and.Circuits[www.ed2kers.com].pdfVIP

6.012 微电子器件与电路，2003 年秋 晶体管技术和摩尔定律的发展（图片由Akintunde Akinwande 提供） 师资 授课教师： Clifton Fonstad Jr.教授 Akintunde Akinwande 教授 Michael Perrott 教授 课程安排 讲座： 2 节/星期 1 小时/节 复习课： 2 节/星期 1 小时/节 答疑： 1 次/周 1 小时/节 课程级别 本科生 翻译 刘蕴红 硕士 副教授 电气工程及其自动化 章艳 硕士 助教 电气工程及其自动化 大连理工大学电气系 审校 苏航 博士 教授 电气工程 请点击 /ocwdonate 大连民族学院 反馈意见 请把您关于OCW或本课的反馈意见发给我们 课程特点 本课程 包含完整的 讲义 和 作业， 以及学生使用的其它相关资源。 课程简介 6.012 课程是电气工程与计算机科学系“器件、电路和系统”方面的重要课程。课程覆盖了微电子器件的建模，基本微电子电路分析和设 计，半导体 p-n 结以及 MOS 器件，器件内部的物理过程与器件电子性能的关系，电路模型的发展以及各种模型的理解和使用及其局限 性。课程使用增量大信号技术分析和设计双极型和场效应管电路，数字电路举例，差分线性放大电路以及其它集成电路。本门课程的学 分为 4 个工程设计学分。 技术要求 本课程网站的文件需要 Winzip® 或 StuffIt®压缩软件解压并打开。 教学大纲 概述 建模/设计 主题 电荷载体及输运 半导体中的电子和空穴；本征电导率，掺杂；详述平衡原理和质量守恒；非本征半导体的载流子浓度，P 型 N 型半导体，漂移；迁移率 和电导率，过剩载流子；复合；低水平注入和少数载流子寿命；光电导性，扩散；爱因斯坦关系式，扩散问题；准中性和介电松弛；少 数载流子的漂移问题。 P-N 节 非均匀掺杂半导体中的空间电荷，泊松-玻尔兹曼方程；德拜长度，耗尽近似，空间电荷层的边界条件，中性区扩散问题；i-v 特性，耗 尽电容；扩散电容，增量等效电路，发光二极管，载流子的光学注入；光电二极管；太阳能电池。 双极型晶体管 Ebers-Moll 大信号模型的由来；正向工作区的简化；基区宽度调制，混合 N 型增量模型包括厄利效应和电容性器件；BJTs 固有的高频 限制。 请点击 /ocwdonate MOS 场效应晶体管 MOS 电容器：积累，耗尽，反型层，强反型区；控制阈值电压的因数，MOS 晶体管：渐进沟道；i-v 特性；沟道长度调制，增量模型 包括厄利效应，栅极效应和电容性器件；MOSFETs 固有的高频限制。 晶体管电路 各种单端控制型 MOSFET 和 BJT 放大器结构； 电阻器和电流源偏置，电流源设计，阻抗负载，电流源负载和有源负载，多级放大器； 差分对管；直接耦合，频率响应；密勒效应；开路和短路时间常数法。 数字模块电路；MOS 和双极型反相器技术；CMOS；存储单元。开关瞬态响应和门极延迟。 利用 SPICE 仿真程序作为电路建模工具。 Note: 注意：以上主题的次序并非我们将要在课堂上讨论的次序。 课程目标 通过 6.012 课程学习，学生将做到： 1. 半导体物理学 解释和应用基本半导体物理学概念。 2. 半导体器件 根据半导体的物理结构,描述、解释和分析一些重要半导体器件的工作原理。 3. 基于物理学模型 用基本物理学器件和电路模型解释和分析各种复杂半导体器件，根据特殊需要选择合适模型，并应用这些模型分析，应用这 些模型进行多级电路分析。 4. 电路分析 分析设计线性放大电路和数字电路。 5. 设计 针对综合设计和电路设计问题，明确设计思路并寻求解决方法。 课程成果评估 学生在完成 6.012 课程后将会： 1. 解释和应用半导体漂移，扩散，施主和受主，多数和少数载流子，过剩载流子，低水平注入，少数载流子寿命，准中性，准 静态； 请点击