超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应郑齐文-物理学报.PDF

超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 郑齐文 崔江维 王汉宁 周航 余徳昭 魏莹 苏丹丹 Dose-ratesensitivityofdeepsub-microcomplementarymetal oxide semiconductor process ZhengQi-Wen CuiJiang-Wei WangHan-Ning Zhou Hang YuDe-Zhao WeiYing Su Dan-Dan 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,076102(2016) DOI: 10.7498/aps.65.076102 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.076102 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I7 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 总剂量效应致0.13m部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 m silicononinsulator N metaloxidesemiconductor fieldeffect transistorinducedbytotalionizingdoseeffect 物理学报.2016,65(9): 096104 /10.7498/aps.65.096104 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 Reliabilityof partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect tran- sistorundertheionizingradiationenvironment 物理学报.2015,64(8): 086101 /10.7498/aps.64.086101 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 Radiationeffectofdeep-submicronmetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistorandparasitictransis- tor 物理学报.2014,63(22): 226101 /10.7498/aps.63.226101 静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法 Onlineandofflinetestmethodoftotaldoseradiationdamage on staticrandom access memory 物理学报.2014,63(8): 086101 /10.7498/aps.63.086101 Co- 射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究 Researchondarksignaldegradationin Co -ray-irradiatedCMOSactivepixelsensor 物理学报.2014,63(5): 056102 /10.7498/aps.63.056102 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 7 (2016) 076102 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的 剂量率效应 郑齐文 崔江维 王汉宁 周航 余徳昭 魏莹 苏丹丹 1) (中国科学院新疆理化技术研究所, 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011) 2)(新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011) 3)(中国科学院大学, 北京 100049) 4)(北京微电子技术研究所