所见过三极管.docVIP

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2017-08-06 发布于河南
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所见过三极管.doc

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所见过三极管

P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上，N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话，这是关于MOS最重要的知识。2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的，耗尽型在无线电设备上有用到，平时说的功率MOS都是增强型的，它的功率可以做得很大。3、记住：不到万不得已不要用P沟道的MOS，价格昂贵、导通电阻大、发热大、效率低，它的唯一的优点是在某些场合中容易驱动，因为只要把栅极电压拉下来就可以了，而N沟道的MOS需要更高的驱动电压，这点很麻烦。还有，分析电路的时候，P沟道的可看成PNP三极管，N沟道的可堪称NPN的三极管，这样分析会更直观。D13007K.这是一个开关管.这是一种高反压（600v）、低放大倍数的NPN型硅材料高频大功率管，最大电流8A 80wSSS10N60A是场效应管：600V，5A，50W。可代换的型号有：5N600、6N600，K2141、K2545、SSS7N60只要耐压大于600V、电流大于5A的场效应管都可代替8N80C：N沟、800V、 8A 、190W p8NK80ZFP - N -通道800V - 1.3ohm - 6.2A 30w TO-220/TO-220FP/TO-247齐纳保护SuperMESH?功率MOSFET - 意法半导体p10nk70zfp: N沟道700V - 0.75Ω - 8.6A - TO220 - TO220FP齐纳保护SuperMESH?MOSFETMPSA42 NPN 21E 电话视频放大300V0.5A0.625W　　MPSA92 PNP 21E 电话视频放大300V0.5A0.625W　　MPS2222A NPN 21 高频放大75V0.6A0.625W300MHZ　　9011 NPN EBC 高频放大50V30mA0.4W150MHz　　9012 PNP 贴片低频放大50V0.5A0.625W　　9013 NPN EBC 低频放大50V0.5A0.625W ]　　9013 NPN 贴片低频放大50V0.5A0.625W　　9014 NPN EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ　　9015 PNP EBC 低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ　　9018 NPN EBC 高频放大30V50MA0.4W1GHZ　　8050 NPN EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ　　8550 PNP EBC 高频放大40V1.5A1W100MHZ　　2N2222 NPN 4A 高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=45　　2N2222A NPN 小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ　　2N2369 NPN 4A 开关40V0.5A0.3W800MHZ　　2N2907 NPN 4A 通用60V0.6A0.4W26/70NSβ=200　　2N3055 NPN 12 功率放大100V15A115W　　2N3440 NPN 6 视放开关450V1A1W15MHZ　　2N3773 NPN 12 音频功放开关160V16A150W COP 2N6609　　2N3904 NPN 21E 通用60V0.2Aβ=100-400　　2N3906 PNP 21E 通用40V0.2Aβ=100-400　　2N5401 PNP 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ　　2N5551 NPN 21E 视频放大160V0.6A0.625W100MHZ　　2N5685 NPN 12 音频功放开关60V50A300W　　2N6277 NPN 12 功放开关180V50A250W　　2N6609 PNP 12 音频功放开关160V15A150W COP　　2N6678 NPN 12 音频功放开关650V15A175W15MHZ　　2N6718 NPN 小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ　　3DA87A NPN 6 视频放大100V0.1A1W　　3DG6A NPN 6 通用15V20mA0.1W100MHz　　3DG6B NPN 6 通用20V20mA0.1W150MHz　　3DG6C NPN 6 通用20V20mA0.1W250MHz　　3DG6D NPN 6 通用30V20mA0.1W150MHz　　3DG12C NPN 7 通用45V0.3A0.7W200MHz　　3DK2B NPN 7 开关30V30mA0.2W　　3DK4B NPN 7 开关40V0.8A0.7W　　3DK7C NPN 7 开关25V50mA0.3W　　3DD15D NPN 12 电源开关300V5A50W　　3DD102C NPN 12 电源开关300V5A50W　　3522V 5.2V稳压管录像机用　　A634