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强电磁脉冲上升时间对rs触发器损伤阈值仿真分析研究.pdf 6页

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第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 29 8 Vol.29 No.8 年 月 , 2017 8 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Au. 2017 g 强电磁脉冲上升时间对 触发器损伤阈值仿真分析* RS 1 1 1 2 1 张子剑 , 陈 曦 , 李茜华 , 王 頔 , 龚 博 ( , ; , ) 1.北京宇航系统工程研究所 北京 100076 2.中国运载火箭技术研究院 北京 100076 : ( ) , 摘 要 对 触发器中金属 氧化物 半导体场效应管 的烧毁作用进行研究 通过仿真分析 RS - - MOSFET 、 , , 在不同入射端口 不同上升时间的条件下 触发器的损伤阈值 结合其内部温度分布图完成失效机理分析 RS , 、 。 进而得出对于上升时间长的强电磁脉冲 需要更高的峰值场强 更长的时间才能将 触发器烧毁 RS : ; ; ; ; 关键词 上升时间 触发器 电磁脉冲 损伤阈值 失效机理 RS 中图分类号: 文献标志码: : / TN386.1 A doi10.11884HPLPB201729.160541 [] 1 , 美国每年投入巨额研究经费用于强电磁脉冲源和强电磁脉冲防护的研究 美国国会多次对强电磁脉冲 [ ] [] 2-3 4 。 , , 的危害进行听证 由于电

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