改善不同环境温度下sige hbt热稳定性的技术 technology for improving thermal stability of sige hbts under different ambient temperatures.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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改善不同环境温度下sige hbt热稳定性的技术 technology for improving thermal stability of sige hbts under different ambient temperatures.pdf

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改善不同环境温度下sige hbt热稳定性的技术 technology for improving thermal stability of sige hbts under different ambient temperatures

材M料ateri与alsa器ndD件evices咿¨■- 1．02．002 doi：10．3969／j．issn．1003—353x．201 改善不同环境温度下SiGeHBT热稳定性的技术陈亮，张万荣，金冬月，肖盈，王任卿，尤云霞 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100022) 摘要：提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGeHBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGeHBT进行热稳定性分析，得到多发射极指上的温度分布。结果表明，与传统的均匀发射极指间距SiGeHBT相比，在相同的环境温度及耗散功率下，采用发射极非均匀指间距技术的SiGeHBT，其最高结温明显降低，热阻显著减小，温度分布更加均匀，有效地提高了多发射极指功率SiGeHBT在不同环境温度下的热稳定性。关键词：异质结双极晶体管；环境温度；热电反馈模型；结温；耗散功率中图分类号：TN322．8；TN306文献标识码：A for Thermal of TechnologyImprovingStability SiGeHBTsUnderDifferentAmbient Temperatures Chen Yunxia Liang，ZhangWanrong，JinDongyue，Xiao Ying，WangRenqing，You andControl ofElectronicInformation University 100022，China) (College Engineering，BeijingofTechnology，Beijing Abstract：Anovel SiGe non— heterojunctiontransistor(HBT)with multi—fingerpower bipolar uniform structurewas to thethermal underdifferentambient fingerspacing proposedimprove stability thermalsimulationfora SiGeHBTwithanovelstructurewasachievedwitha temperatures．The power electro—thermal numerical model．The distributiononemitter wasobtained． temperature fingers withthetraditional maximum distribution Comparred structure，thejunctionternperature，temperature andthermalresistanceare thermal iseffectiveenhancedunder significantlyimproved．Thestability differentambi