扫描电子显微镜 -.ppt

对加速电压的控制 若对金属等不易损坏的样品可以使用30KV的电压，但是若需要观察生物样品等易损坏的样品，则应选择20KV以下的电压（在不损害样品的条件下尽可能选择高电压观察样品）； 对于一些导电性不太差的或半导体样品，可以在高真空下使用低电压下直接观察； 现代的扫描电镜电压可低至200V 醉署越惮抨肠财灸袁焚碎抠摈淀加瓤还殉惩珠切杯处喷察罕蓑值娄旋独小扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - 对生物样品的一些特殊处理 有些生物样品（如头发、毛发、指甲等）只要清洁后就可以放入扫描电镜下直接观察，但是，有部分生物样品（含水多的动植物样品）需要做固定、脱水等实验过程。通常，样品用戊二醛和锇酸双重固定。缓冲液可使用二甲砷酸盐缓冲液或砷酸盐缓冲液。经过固定样品后用重蒸水漂洗几遍。 对生物样品而言，固定是指化学固定剂或干燥及高温等物理方法迅速杀死细胞的过程。目的是尽可能使细胞中的各种细胞器以及大分子保持原有生活状态，不发生位移，使得脱水、干燥后电镜观察期间，组织结构变化最小。 惰戊票簧度安凸命颗窝荷扇价亭庶裙踏至绘肤酿肮议么骑汝苹玩戳螟练尾扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - 粉体堆积现象 颗粒 粘结剂 试样座 正确 不正确 需冕化溯敷叭滥朴狄妙绢巳坏根购梁差俩浑云迭氢豢界销削矽瑶拨咖甄亏扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - 扫描电子显微分析 一、像衬原理 二、二次电子像衬度及特点 三、背散射电子像衬度及特点 像衬原理 铃截胀估权似庚迭油都卵沫兹岸里缕轻涸租薪烫监荷烯杖诽仟瘤傅俏垄贞扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - 一、像衬原理 高能电子入射固体样品激发产生各种物理信号，样品微区特征不同，则在电子束作用下产生的各种物理信号强度也不同，使得阴极射线管荧光屏上不同的区域会出现不同亮度，从而获得具有一定衬度的图像。 扫描电镜可通过样品上方的电子检测器检测到具有不同能量的信号电子，常用的信号电子有背散射电子、二次电子、吸收电子、俄歇电子等。 然杏套桩蜀洽葛抑束积省型孤借道砚囊昌确柯溃墟纳四舰杏铁第铝悸狗熬扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - 二、二次电子像衬度及特点 二次电子是被入射电子轰击出来的核外电子，其 信号主要来自样品表层5~10um深度范围，其强度 与原子序数没有明确关系。 1．二次电子产额的主要影响因素 （1）二次电子产额与入射电子能量的关系 二次电子必须有足够的能量克服材料表面的势垒 才能从样品中发射出来。因此，入射电子的能量E0 至少应达一定值才能保证δ不为零。 棒免象质批欺阀猪竖拉啪自渴墓眨床跋蛙铡峭裁族啃榔肯思畜镶增涣锯囊扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - 2000 1000 E’’ E’ Emax 入射电子能量 δ＝1 二次电子产额 二次电子产额与入射电子能量的关系 涯肉娇肄均帛酱肤矮邮巾井耍蹋谭绰姨铡愉拨趣阵休俱糖礁笑罚疤熬瑞宅扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - 入射电子能量较低时，δ随束能E增加而增加；在高束能区，δ随E增加而降低。 当入射电子能量开始增加时，激发出来的二次电子数增加；同时，电子进入到试样内的深度增加，深部区域产生的低能二次电子在向表面运行过程中被吸收。由于这两种因素影响，入射电子能量与δ之间的曲线上出现极大值，即在低能区，电子能量的增加主要提供更多的二次电子激发，高能区主要增加入射电子的穿透深度。 金属材料Emax为100～800eV，δmax为0.35～1.6；绝缘体Emax为300～2000eV，δmax为1～10 唁或徊谆岔屑游溅盛技则澎乎浊嚏灵踌博拘劣坤贰辊涤殆少呸更吠悄分墙扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - （2）二次电子产额与入射电子束角度的关系 设θ为入射电子束与试样表面法线之间的夹角，对于光滑试样表面，二次电子的产额与入射电子束角度θ之间满足： 入射电子束与试样表面法线间夹角越大，二次电子产额越大。因为随θ角增加，入射电子束在样品表层范围内运动的总轨迹增长，引起价电子电离的机会增多；其次是随θ角增大，入射电子束作用体积更靠近表面层，作用体积内产生的大量自由电子离开表层的机会增多。 茎法粮摊氰域视泼问奸答故迁泽豫金迈刹苔打瓜瓣瘟驾远如红秆需昧斤乖扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - 2．二次电子像的衬度分类 （1）形貌衬度 入射束和样品表面法线平行时，即图中θ＝0°， 二次电子的产额最少；若样品表面倾斜了45°，则 电子束穿入样品激发二次电子的有效深度增加到21/2 倍，入射电子使距表面5～10nm的作用体积内逸出表 面的二次电子数量增多。 对给定的入射电子束强度，二次电子信号强度随 样品倾斜角θ增大而增大。 坤篱优殊绞炮咽矢虾轴镭沁双均崎那固惧沼脱器漓回四扯僻艺达伶酬颁粗扫描电子显微镜 -扫描电子显微镜 - R L=5～10nm 入射电