基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅ldmos阈值电压模型 threshold voltage model of a novel dual polysilicon material gate ldmos based on two dimensional potential distribution.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅ldmos阈值电压模型 threshold voltage model of a novel dual polysilicon material gate ldmos based on two dimensional potential distribution.pdf

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基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅ldmos阈值电压模型 threshold voltage model of a novel dual polysilicon material gate ldmos based on two dimensional potential distribution

第5 期电子学报 VoI. 35 No. 5 2007 年5 月 ACTA ELECTRONICA SINICA May 2007 基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅 LDMOS 阈值电压模型代月花，高珊，柯导明，陈军宁（安徽大学电子科学与技术学院，安徽合肥230039 ）摘要：本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS 结构. 该结构引入栅工程的概念，将LDMOST 的栅分为n 型多晶硅栅和p 型多晶硅栅两部分，从而提高器件电流驱动能力，抑制SCES（Short channeI effectS ）和DIBL （drain-induced barrier Iowering ）. 通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅 LDMOST 的二维阈值电压解析模型. 模型考虑了LDMOS 沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响，具有较高的精度. 与MEDICI 数值模拟结果比较后，模型得以验证. 关键词：复合多晶硅栅；LDMOS ；阈值电压中图分类号： TN386. 1 文献标识码： A 文章编号： 0372-2112 （2007 ）05-0844-05 Threshold Voltage Model of a Novel Dual Polysilicon Material Gate LDMOS Based on Two Dimensional Potential Distribution DAI Yue-hua ，GAO Shan ，KE Dao-ming ，CHEN Jun-ning （Electronic Science and Technology Dep artment ，Anhui Uniuersity ，Hef ei ，Anhui 230039 ，China ） Abstract ： A novel lateral double-diffused metal oxide semiconductor field effect transistor （LDMOSFET ）structure ， using an effective concept of dual Polysilicon material gate ，is proposed. The conventional polysilicon gate applied in LD- MOSFET is divided into S-gate and D-gate by gate engineering. The special gate structure can improve driveability ，suppress SCEs（short channel effects ）and screen DIBL （drain-induced barrier lowering ）. The threshold voltage model is solved by two dimensional （2D ）Poisson ’s eguation. The difference of workfunction and doping concentration distribution are also taken into account in the surface pote