第9章 MCS-51单片机 扩展存储器设计课件.ppt

单片机系统扩展设计;6.1 概述 片内的资源如不满足需要，需外扩存储器和I/O功能部件。 系统扩展主要内容有： (1)外部存储器的扩展（外部RAM、ROM） (2) I/O接口部件的扩展。 本章介绍如何扩展外部存储器，;8.1.2 系统扩展的三总线结构;MCS-51单片机外部存储器结构:哈佛结构 。 MCS-96单片机存储器结构:普林斯顿结构。 MCS-51 RAM和ROM的最大扩展空间各为64KB。 系统扩展首先要构造系统总线。 8.2 系统总线及总线构造 8.2.1 系统总线 按功能把系统总线分为三组： 1.地址总线（Adress Bus,简写AB） 2.数据总线 (Data Bus，简写DB) 3.控制总线（Control Bus，简写CB） ; ;地址锁存器74LS373 ; 1. 以P0口作为低8位地址/数据总线。 2．以P2口的口线作高位地址线。 3.控制信号线。 *ALE —— 低8位地址锁存信号。 *PSEN*—— 扩展程序存储器读选通信号。 *EA* —— 内外程序存储器选择信号。 *RD*和WR* —— 扩展RAM和I/O口的读选通、 写选通信号。 ;8.2.3 单片机系统的串行扩展技术 优点：串行接口器件体积小，与单片机接口时需要的I/O口线少, 可靠性提高。 缺点:串行接口器件速度较慢 在多数应用场合，还是并行扩展占主导地位。 8.3 读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器 8.3.1 存储器扩展的读写控制 RAM芯片：读写控制引脚OE*和WE* ，与RD*和WR*相连。 EPROM芯片：只有读出引脚，OE* ，与PSEN*相连。 ;8.3.2 存储器地址空间分配; 直接用系统的高位地址线作RAM芯片的片选信号。 例: 外扩8KB EPROM （2片2732） 4KB RAM （2片6116） ; 2732:4KB ROM，12根地址线A0～A11，1根片选线 6116:2KB RAM，11根地址线A0～A10，1根片选线 片选端低电平有效 地址范围： 2732（1）的地址范围：7000H～7FFFH; 2732（2）的地址范围: B000H～BFFFH; 6116（1）的地址范围：E800H～EFFFH; 6116（2）的地址范围：D800H～DFFFH。 线选法特点 优点：电路简单，不需另外增加硬件电路，体积小，成本低。 缺点：可寻址的器件数目受限，地址空间不连续。 只适于外扩芯片不多，规模不大的单片机系统;2. 译码法 常用译码器芯片： 74LS138（3-8译码器） 74LS139（双2-4译码器） 74LS154（4-16译码器） 全译码：全部高位地址线都参加译码； 部分译码：仅部分高位地址线参加译码。 (1)74LS138（3～8译码器） 当译码器的输入为某一个固定编码时，其输出只有某一个固定的引脚输出为低电平，其余的为高电平。; 74LS138译码器真值表 输 入 输 出 G1 G2A* G2B* C B A Y7* Y6* Y5* Y4* Y3* Y2* Y1* Y0* ; 采用全地址译码方式，单片机发地址码时，每次只能选中一个存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。;8.4 程序存储器EPROM的扩展 采用只读存储器，非易失性。 （1）掩膜ROM 在制造过程中编程,只适合于大批量生产。 （2）可编程ROM（PROM） 用独立的编程器写入，只能写入一次。 （3）EPROM 电信号编程，紫外线擦除的只读存储器芯片。 （4）E2PROM（ EEPROM） 电信号编程，电擦除。读写操作与RAM相似，写入速度稍慢。断电后能够保存信息。 （5）Flash ROM 又称闪烁存储器，简称闪存。电改写，电擦除，读写速度快（70ns），读写次数多（1万次）。; 8.4.1 常用EPROM芯片介绍 典型芯片是27系列产品，例如， 2764 （8KB×8） 27128（16KB×8） 27256（32KB×8） 27512（64KB×8） “27”后面的数字表示其位存储容量。 扩展程序存储器时，应尽量用大容量的芯片。 ; 1.常用的EPROM芯片 引脚功能如下： A0～A15：地址线引脚。数目决定存储容量。 D7～D0：数据线引脚 CE*： 片选输入端 OE* ： 输出允许控制端 PGM*： 编程时，加编程脉冲的输入端 V