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第9章 MCS-51单片机 扩展存储器设计课件.ppt 68页

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单片机系统扩展设计;6.1 概述片内的资源如不满足需要,需外扩存储器和I/O功能部件。系统扩展主要内容有:(1)外部存储器的扩展(外部RAM、ROM)(2) I/O接口部件的扩展。本章介绍如何扩展外部存储器,;8.1.2 系统扩展的三总线结构;MCS-51单片机外部存储器结构:哈佛结构 。MCS-96单片机存储器结构:普林斯顿结构。MCS-51 RAM和ROM的最大扩展空间各为64KB。系统扩展首先要构造系统总线。8.2 系统总线及总线构造8.2.1 系统总线按功能把系统总线分为三组: 1.地址总线(Adress Bus,简写AB) 2.数据总线 (Data Bus,简写DB) 3.控制总线(Control Bus,简写CB) ;;地址锁存器74LS373; 1. 以P0口作为低8位地址/数据总线。 2.以P2口的口线作高位地址线。 3.控制信号线。 *ALE —— 低8位地址锁存信号。 *PSEN*—— 扩展程序存储器读选通信号。 *EA* —— 内外程序存储器选择信号。 *RD*和WR* —— 扩展RAM和I/O口的读选通、 写选通信号。 ;8.2.3 单片机系统的串行扩展技术 优点:串行接口器件体积小,与单片机接口时需要的I/O口线少, 可靠性提高。 缺点:串行接口器件速度较慢在多数应用场合,还是并行扩展占主导地位。8.3 读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器8.3.1 存储器扩展的读写控制RAM芯片:读写控制引脚OE*和WE* ,与RD*和WR*相连。EPROM芯片:只有读出引脚,OE* ,与PSEN*相连。 ;8.3.2 存储器地址空间分配; 直接用系统的高位地址线作RAM芯片的片选信号。例:外扩8KB EPROM(2片2732)4KB RAM(2片6116); 2732:4KB ROM,12根地址线A0~A11,1根片选线 6116:2KB RAM,11根地址线A0~A10,1根片选线 片选端低电平有效 地址范围: 2732(1)的地址范围:7000H~7FFFH; 2732(2)的地址范围: B000H~BFFFH; 6116(1)的地址范围:E800H~EFFFH; 6116(2)的地址范围:D800H~DFFFH。线选法特点 优点:电路简单,不需另外增加硬件电路,体积小,成本低。缺点:可寻址的器件数目受限,地址空间不连续。只适于外扩芯片不多,规模不大的单片机系统;2. 译码法 常用译码器芯片:74LS138(3-8译码器)74LS139(双2-4译码器)74LS154(4-16译码器)全译码:全部高位地址线都参加译码;部分译码:仅部分高位地址线参加译码。 (1)74LS138(3~8译码器) 当译码器的输入为某一个固定编码时,其输出只有某一个固定的引脚输出为低电平,其余的为高电平。; 74LS138译码器真值表 输 入 输 出 G1 G2A* G2B* C B A Y7* Y6* Y5* Y4* Y3* Y2* Y1* Y0*; 采用全地址译码方式,单片机发地址码时,每次只能选中一个存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。;8.4 程序存储器EPROM的扩展 采用只读存储器,非易失性。(1)掩膜ROM 在制造过程中编程,只适合于大批量生产。(2)可编程ROM(PROM) 用独立的编程器写入,只能写入一次。 (3)EPROM 电信号编程,紫外线擦除的只读存储器芯片。(4)E2PROM( EEPROM) 电信号编程,电擦除。读写操作与RAM相似,写入速度稍慢。断电后能够保存信息。(5)Flash ROM 又称闪烁存储器,简称闪存。电改写,电擦除,读写速度快(70ns),读写次数多(1万次)。;8.4.1 常用EPROM芯片介绍典型芯片是27系列产品,例如, 2764 (8KB×8)27128(16KB×8)27256(32KB×8)27512(64KB×8)“27”后面的数字表示其位存储容量。扩展程序存储器时,应尽量用大容量的芯片。 ;1.常用的EPROM芯片 引脚功能如下:A0~A15:地址线引脚。数目决定存储容量。D7~D0:数据线引脚CE*: 片选输入端OE* : 输出允许控制端PGM*: 编程时,加编程脉冲的输入端Vpp: 编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端Vcc: +5V,芯片的工作电压。 GND: 数字地。NC: 无用端 ;2. EPROM芯片的工作方式(1)读

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