第1章 常用半导体器件pn结及二极管.pptVIP

* 常见半导体二极管 * 1.2.1 半导体二极管常见结构 按结构分点接触型、面接触型和平面型三大类。 (a)点接触型 (b)面接触型 (c)平面型 结面积小，结电容小，检波和高频电路。 结面积可大可小，高频整流和开关电路。易于扩散工艺，适合集成电路。 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (d)符号 * 1.2.2 二极管伏安特性 二、温度影响 温度升高? 正向曲线左移 反向曲线下移 (逆时针转动) 正向压降：-2.5mV/oC Is: ↑1倍/↑10oC 一、伏安特性 uD iD 开启电压UON 硅管0.5V, 锗管0.1V。 导通压降(UT): 硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V 反向击穿电压UBR UBR 图1.2.3 二极管伏安特性曲线 反向特性曲线 u0 正向特性曲线 u0 UT * 1.2.3 二极管主要参数 应用选型 (1) 最大整流电流IF(与温度有关) (2) 最大反向工作电压(UR=1/2UBR) (3) 反向电流IR(温度敏感) (4) 最高工作频率 fMax (Cj = Cb+ Cd) (5) 其它参数:额定功耗/极间电容/正向管压降/动态电阻/温度系数等 rd 考虑以上参数，如何等效？ * 1.2.4 二极管等效电路 等效电路(等效模型)?外特性，便于电路定量分析 rd 理想模型 恒压降模型 折线模型 交流小信号模型 注意应用需求场合 直流电阻 动态电阻 * 小信号交流等效电路分析与计算 结论记住，会用！ 与工作点Q有关！ 工作点Q越高，rD越小！ 特性方程 定义 二极管特性曲线 * 1.2.5 稳压二极管 反向电击穿特性 稳压管参数： 稳定电压：Uz 稳定电流：Iz(Izmax、Izmin) 额定功耗： 动态电阻： 温度系数：α（%/℃） 注意：应用中需要限流电阻！ * 稳压二极管的应用（例1.2.2） uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 解：稳压管正常工作，流过的反向电流为：Izmin ~ Izmax 总电流： 讨论：稳压原理（输入电压变化，负载轻微变化），驱动能力（输出电阻）？ 限流电阻R超限带来的影响（负载一定）？ 限流电阻满足要求，负载电阻RL变化带来的影响？ （1） （2） 求：限流电阻范围？ 分别把Izmin ~ Izmax带入（1）得到输入电流范围，再带入（2）可得到R范围。 * ? 变容二极管（调谐电路） 势垒电容CT随外电压变化，注意PN反偏 正向电流发光，注意限流，5-20mA 1.2.6 其它类型二极管 ? 发光二极管（数码指示，节能） 光致自由电子，注意PN反偏。 ? 光电二极管（通信、传感） ED D RL UD ? 光电耦合（隔离耦合） 数字隔离/模拟隔离 * 二极管的用途： 整流、检波、限幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等。 1.2.7 二极管应用 分析方法：利用单向导电性。 分析关键：判断二极管处于导通（短路）， 还是截止（开路）状态。 * 开关电路（思路：先断开二极管，再接入，判断导通或截止） UO1≈1.3V， UO2＝0， UO3≈-1.3V， UO4≈2V， UO5≈1.3V， UO6≈-2V。 （P64 第三题） 导通 截止 导通 截止 导通 截止 * RL ui uo 半波整流电路 ui uo t t * 正半周： D1、D3 导通 D2、D4 截止 负半周： D2、D4导通 D1、D3截止 全波整流电路 * 模拟限幅（非线性）/整流 改变E，可改变限幅值。原理？ 双向限幅电路（课后分析） * 数字逻辑电路应用 二极管“与”门电路 二极管“或”门电路 （思考） * 小 结 ? 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一种物质。具有一系列特殊的性能，如掺杂、光照和温度都可以改变半导体的导电性能。利用这些性能可制作成具有各种特性的半导体器件。 ? PN结是构成半导体器件的基础，具有单向导电性、非线性电阻特性、电容效应、击穿稳压特性。 当PN结加正向电压时，PN结导通，呈现低阻特性。 当PN结加反向电压时，PN结截止，呈现高阻特性。 * * * * 模拟电子技术基础 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 主讲 ：赵建辉 第一章 常用半导体器件(1) * 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极性晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件 第1章 常用半导体器件 本节课内容 * 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结 重