第1章 常用半导体器件三极管及应用.pptVIP

北航五研 北航五研 北航五研 模拟电子技术基础 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 主讲 ：赵建辉 第一章 常用半导体器件(2)三极管原理与应用 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件 第1章 常用半导体器件 本节课内容 1.3 双极型晶体管(三极管) 重点：晶体管放大原理、特性曲线。 难点：1.晶体管电流分配及控制 2.晶体管输入输出曲线 3.晶体管主要参数及意义 重点难点 1.3.1 晶体管结构及类型 1.3.2 晶体管电流放大作用 1.3.3 晶体管共射特性曲线 1.3.4 晶体管主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性几参数的影响 1.3.6 光电晶体管 结构：有PNP型和NPN型； 材料：硅管和锗管； 功率：大功率管和小功率管； 频率：高频管和低频管。 常见三极管封装 结构与类型 1.3.1 晶体管结构与类型 B E C N N P 基极 集电极 发射极 B E C P P N 基极 集电极 发射极 NPN型 PNP型 b e c b e c 结构 符号 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区： 结面积较大 发射区： 掺杂浓度较高 结构特点:(三极两结) 目的:有利于电流的控制(放大)作用 发射结 集电结 （注意：为何不是6种！） 1.3.2 电流分配（放大）作用 三种接法：（三极双端口网络） 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 IE=(1+β)IB 共射放大电路：（条件：发射结正偏，集电结反偏） IC UCE IB VCC RB VBB C B E RC UBE uo 放大：输入电压微小变化，反映在输出中。 载流子运动（发射、复合、收集） 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 发射结正偏，基区空穴向发射区的扩散很小,可忽略。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。 集电结反偏，从基区扩散来的电子作为集电结的非平衡少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 IB=IBN+IEP-ICBO IC=ICN+ICBO ?ICN 二、各极电流分配关系(P25) IE=IEP+IEN?IEN 外部关系：IE=IC+IB ICN与(IB)’之比称为共射电流放大倍数 意义：(IB+ICBO) 对ICN的控制能力（内部）。 IB对IC的控制能力（外部）。 三、共射电流放大系数 表示直流放大倍数 ICEO集电结反向饱和电流(可忽略) 交流放大倍数 整理: ICN与IE之比称为共基电流放大倍数 三、共基电流放大系数 表示直流放大倍数 交流放大倍数 意义：ICN对IE的控制/放大能力（内部）。 IC对IE的控制/放大能力（外部）。 三极管电流分配： 注意：要使三极管能放大电流， 必须使发射结正偏，集电结反偏。 三、近似公式（外部特性） B E C IB IE IC NPN B E C IB IE IC PNP 记住！！ IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 测试实验电路 1.3.3 晶体管共射特性曲线 各极间电压电流关系（实验） 一、输入特性曲线 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE ?1V 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V 锗管BE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.2V。 注意：输入曲线是一簇曲线！ 二、输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 放大区： 发射结正偏 集电结反偏 IC=?IB UCE变化 截止区: UBE UON 集电结反偏,IB=0 IC=ICEO 饱和区： 发射结正偏 集电结正偏 UCE ? UBE ?IBIC， UCE?0.3V IC=ICEO 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 （线性放大） 即： UCE≥UBE ， IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏、集电结正偏（二PN结均导通） 即：UCE?UBE ， IC?IB，UCE?0.3V (3) 截止区：UBE UON（或反