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第1章 常用半导体器件场效应管及应用
北航五研 北航五研 北航五研 模拟电子技术基础 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 主讲 :赵建辉 第一章 常用半导体器件(3.场效应管) 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件 第1章 常用半导体器件 本节课内容 自学,不要求 1.4 场效应管(FET) 重点:场效应管结构、放大原理、特性曲线。 难点:1.场效应管电流沟道 2.输出曲线和转移曲线 3.场效应管主要参数及意义 重点难点 1.4.1 结型场效应管(JFET) 1.4.2 绝缘栅型场效应管(MOSFET) 1.4.3 场效应管主要参数 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 场效应管(FET,Feiled Effictive Trsnsister) 利用输入回路电压控制输出回路电流的半导体器件(压控器件)。仅靠一种(而非两种)多数载流子(漂移)导电,又称单极性晶体管;从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 特点: 输入电阻高:107~1012 ? ; 体积小、重量轻、寿命长、噪声低、热稳定性好,抗辐射能力强、低功耗,易加工。 1.4 场效应管 问题的引出: BJT:电流控制,be结正偏,rbe较小,吸收功率,如何进一步提高ri N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 (耗尽型) FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类: 耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在 增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道 P沟道 1. 结构 N型导电沟道 漏极D(d) 源极S(s) 沟道电阻 —— 长度、宽度、掺杂 P+ P+ 反偏的PN结(栅源极反偏) —— 反偏电压控制耗尽层 结构特点: 空间电荷区(耗尽层) 栅极G(g) 结构与符号 1.4.1 结型场效应管(JFET) N 箭头向内表示N沟道 一、JEFT 工作原理 ① UGS对沟道的控制作用(UDS=0) ② UDS对沟道的影响(0UGSUGS(off)) ? UGS=0 ? UGS(OFF)UGS<0 ? UGS= UGS(OFF) |UGS | 增加?耗尽层加厚?沟道变窄?沟道电阻增大 (注意:对N-JEFT,UGS0,栅源极反偏) 全夹断(夹断电压) ② uDS对沟道的影响(0UGSUGS(OFF)) ? UDS? ? ID ?,GD间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,呈楔形分布(可变电阻)。 ? UGD=VGS(OFF) 时,在靠漏极处出现预夹断。 ? UDS ? ?夹断区延长, 但ID基本不变(恒流特性)—平衡作用 ? UGDUGS(OFF) ? UGD=UGS(OFF) ? UGDUGS(OFF) (UGD=UGS-USD) 2. 工作原理 ③ UGS和UDS同时作用时 2. 转移特性 1. 输出特性 二、N沟道JEFT 特性曲线 UGS(off) 0 iD uGS UGS(off) N沟道JFET管的特性曲线 转移特性曲线 iD uDS 0 输出特性曲线 UGS=0V IDO UGS=UGS(off) IDSS 予夹断轨迹 夹断区 恒流区 可变电阻区 饱和 漏极电流 夹断电压 输出特性曲线 转移特性曲线 P沟道JEFT 特性曲线 予夹断曲线 iD U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 0 uGS 0 iD IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 夹断电压 UGS(off) 综上分析可知(结论) (1)当UDS使|UGD||UGS(OFF)|时,预夹断前,iD与vDS呈近似线性关系(可变电阻区域); (2)当UDS使|UGD|=|UGS(OFF)|时,D-S间预夹断。 (3)当UDS使|UGD||UGS(OFF)|时,预(未完全)夹断,iD趋于恒定饱和,iD只受到UGS控制,与UDS无关(压控电流源)。 (4)完全夹断,iD=0,相当三极管截止。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因此 iG?0,输入电阻很高。JFET是电压控制电流器件,iD受UGS控制,沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,所以场效应管也称为单极型三极管。 栅源电压对漏极电流的跨导: FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 (耗尽型) 1.4.2 绝缘栅型场效应管(IGFET) 一、 N沟道增强型MOSFET 1. 结构 与符号
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