铸锭技术2012.pptx

张辉 － 清华大学工程物理系 ;硅片和电池成本将持续下降，在太阳能应用产业链中的成本比重越来越小。组件，安装和维护等成本已经成为第一因素（材料，人工等，包括土地或楼面面积将会继续攀升），降低产业链中高成本部分成为未来发展的方向。电池效率提升将提高电池的成本，但降低总成本。高效电池将是未来的发展方向。 目前的主流有高效多晶和类单晶两种。高效多晶目前流行小晶粒生长，起源于类单晶生长。原因有（1）有更好的晶粒一致性，生长过程的内应力小，导致全锭的均匀性好，改进开路电压；（2）一致的晶粒大小，使得制绒工艺简单，改进电流特性。还有一个不成熟的理论是杂质进入晶界提高排杂能力，及抑制晶粒内的亚晶界生长。;高效硅片技术;生长内应力的起源;控制晶界一致性;日本在晶粒方向选择方面的工作;中美晶A++高效多晶技术：Li和蓝的文章;晶粒方向控制与电池效率的关系;中美晶A++技术：Li和蓝的文章;类单晶拼缝处变多晶的原因是位错密度，这个观点与BP的SiC颗粒原理是不同的。这样需要减小剪应力。 1）需要切好和排好籽晶，临近籽晶需要同方向，方向角差越大，应力越大，越容易出多晶。 2）需要降热应力，这样需要界面平，同时可以降纵向温度梯度。即降TC1，升TC2。目前的工艺TC1温度高，TC2 温度低。 特别是后段。可以在最后段开始升TC2，降TC1完成长晶。之后接上冷却段。（不能闭笼，底部冷却后再升温是绝对没有好处的）;只有用碱制绒或物理刻蚀方法才能最终提高效率。 用目前的酸制绒方法，无法解决高效问题，最高平均效率约为17.6% 近期的出路是单晶铸锭，但目前的困难是无法解决侧面和角部多晶问题。用G5，最多只能产生36%的全单晶高效片，最高平均效率约为18.5%;DSS450/650，JZ460/660;定向凝固的理想设计;Cyberstar炉子设计;;早期类单晶铸锭生产（2008年结果）;硅片级别;VirtusTM Cell Efficiency;Q-Cells：由60块多晶硅太阳能电池组成的太阳能组件的电力输出达283瓦。这项纪录由德国Fraunhofer太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）证实。据称是目前具有竞争性价格的准单晶硅组件中功率最高的组件。此前，Q-Cells单晶硅组件电力输出创造了287W的记录；大规模多晶硅光伏电池的效率也达到了19.5%。类单晶的消息非常多，但不少是假消息;单晶率是一个重要指标，界面形状（平）、温度梯度（纵向）、位错密度（成核方向，温梯）、浓度分布都重要。类单晶铸锭可分为三个阶段：第一阶段平均效率17.2-3%（一类）最高达18.2%；第二阶段平均效率17.7%（一类）最高达18.7%，；第三阶段平均效率18.2% （一类）最高达19%。再利用高效电池技术，效率可达20% ? 第一阶段，工艺像多晶工艺，用大纵向温度梯度（TC2温度低），较易控制化料保籽晶，强调单晶率。但横向和纵向应力大，导致位错密度大，顶部可见开花现象（从亚晶界变为晶界）。 第二和三阶段，工艺像单晶工艺。界面较平，工艺追求低温度梯度，开口慢慢变大，TC1温度较低。保籽晶阶段和生长后期两阶段必须控制。保籽晶阶段关系到生长的基础，需低温度梯度，防止滑移线出现，关键减生长缺陷；生长后期，硅锭大部已形成，需降温度梯度，减少位错及亚晶界生长。关键减应力位错。冷却退火过程需改进，位错主要在生长过程出现，退火可能可以不做。;一些厂家追求单晶率及低杂质，忽略了最根本的籽晶缺陷和后续生长位错密度，类单晶成功的重要技术问题包括： 单???率 – 可用热壁，大温梯（抑制侧面成核） 杂质 –大温梯（防过冷但位错大）或化学方法 位错密度及亚晶界 –需小温梯（纵向），平界面（横向） 侧面成核及杂质扩散 –恒定侧面纵向温梯 底部红区 – 需用低TC2（应力缺陷大） 籽晶回收 ;小结