项目1 线性集成直流稳压电源的设计与制作.ppt

课程名称：模拟电子技术;直流稳压电源各组成部分作用:; 一、半导体的特性 1.半导体――导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，常用硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(GaAs)等。 2.半导体的特性－－热敏性、光敏性、掺杂性 ;二、本征半导体－－化学成分纯净的单晶结构半导体 1.硅和锗简化原子结构模型 硅和锗都是四价元素，原子最外层有4个价电子。;束缚电子;这一现象称为本征激发，也称热激发; 自由电子;空穴－－带正电，它靠正离子吸引附近自由电子而移动;自由电子 带负电荷 电子流;复合现象 ;三、杂质半导体;N型半导体（电子型）; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;杂质半导体的示意图;耗尽层 势垒层;少子飘移;(1) 加正向电压(正偏)—电源正极接P区，负极接N区 ;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;检验学习结果;（一） ?二极管结构、符号和类型;二极管类型;按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管 按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。; 二、半导体二极管的伏安特性; 1. 正向特性 ? 当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为 ,相应的A(A′)点的电压称为 电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为 V,锗管约为 V,如图中OA(OA′)段。 当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很 电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为 V,锗管约为 V,如图中AB(A′B′)段。 ; 二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。 2.反向特性 二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常 的电阻,反向电流 ,且 反向电压而变化。此时的电流称之为 IR,见图中OC（OC’）段。 ; 4.温度对特性的影响 温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。;三、半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF是二极管允许通过的最大正向平均电流。超过ＩＦ, 二极管将过热而烧毁。 2.最大反向工作电压ＵＲM：二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时, 二极管可能被击穿。为了留有余地, 通常取击穿电压的一半作为ＵＲM。 3. 反向饱和电流IR指二极管未击穿时的反向电流值。 （越小单向导电性越好） 4. 最高工作频率fM（超过时单向导电性变差）;所谓理想二极管即： 1.正向导通时死区电压和导通压降均为零，正向导通电流为? 2.反向截止时，反向电流为零，反向击穿电压为无穷大。;uD;例1. 1 硅二极管，R = 2k?，分别用二极管理想模型和恒压降模型求出VDD = 2V 、 10V 时 IO 和 UO 的值。;例1. 2 试求电路中电流 I1、I2、IO和UO的值。;例1. 3 ui = 2 sin ?t (V), 分析二极管的限幅作用。;小 结;1. 伏安特性;7.特殊二极管; ?发光二极管LED(Light Emitting Diode); ?输出电平指示; ?光敏二极管——光能转换为电能;布置课后资讯任务; 本次任务;能力目标;知识目标;布置课堂操作任务;任务1：二极管的识别 ;任务2：用指针万用表检测整流、检波二极管;课堂交流;1. 目测判别极性;2. 用万用表检测二极管;任务3：用数字万用表检测整流、检波二极管;课堂交流;任务4：用指针万用表检测稳压、发光及光电二极管;课堂交流;归纳小结;布置课后资讯任务; 任务2 半导体二极管基本应用电路 的测试与分析; 掌握普通二极管的理想模型和恒压降模型； 掌握桥式整流电路及电容滤波电路的输出电压与变压器副边电压的关系； 掌握桥式整流电路、电容滤波电路的组成及工作原理。 ;任务2-1：半波整流电路的测试;课堂交流;?t;任务2-2：桥式整流电路的测试;课堂交流;; ?参数估算;桥式全波整流电路如图所示，若电路中二极管出现 下述各种情况，电路会出现什么问题？ ; 桥式整流电路?简化图;集成硅整流桥：;任务2-3：电容滤波电路的测试;1. 电容滤波;（1）空载（RL=∞）时：;（2）接入RL（且RLC较大）时;（4） 元件选择 1) 电