清华模电1章 常用半导体器件.pptVIP

第 1 章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和可控硅 1.6 集成电路中的元件 第1 章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体 和半导体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，都为四 价元素。典型的半导体有硅Si和锗Ge。 半导体的导电机理不同于其他物质，所以它具有不同于其 他物质的特点，例如： 半导体的导电性对温度很敏感，在光照和热辐射条件下， 导电能力明显变化，可用来制作热敏和光敏器件。半导体材料 对温度和光照的敏感性，又是造成半导体器件温度稳定性差的 原因。 在纯净的半导体中掺入杂质元素时会使它的导电能力明显 变化，即导电性具有可控性 1.1.1 本征半导体 ——纯净的具有晶体结构半导体。制造半导体器件的半导 体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 图1.1.1 本征半导体结构示意图 半导体在绝对零度(-273℃ )时不导电。在常温下由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位成为空穴。 图1.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴 本征半导体的导电特性： 1 载流子：运载电荷的粒子。 本征半导体有两种载流子：自由电子、空穴 2 自由电子和空穴成对出现，成对消失（浓度相等）。 自由电子和空穴成对出现称为本征激发，成对消失称复合。 激发和复合相等时，载流子浓度一定(动态平衡) 一 N型半导体(N—Negative负) 在本征半导体中掺入五价元素，如P(磷)、Se(砷)等。 N型半导体中电子浓度远大于空穴浓度，所以称自由电子为多子（多数载流子），空穴为少子（少数载流子） N型半导体主要靠自由电子 导电，掺入的杂质越多，多 子浓度越大，导电性越强。 二 P型半导体 (P—Positive正) 在本征半导体中掺入三价元素，如B、AL等。 三个价电子在周围Si(Ge)原子形成共价键时出现一个空穴，室温时可吸收自由电子填充，杂质原子也变为带负电荷的原子，所以此三价杂质原子称受主原子。 多子——空穴 少子——电子 三 PN结的电流方程 四 PN结的伏安特性 Cb Cd都是非线性电容，在正向偏置时，以扩散电容Cd为主，在反向偏置时以势垒电容Cb为主， Cb Cd都很小，一般为几pF至几百pF，所以当工作频率很高时要考虑结电容作用。 半导体二极管的几种常见结构 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的等效电路 稳压二极管 其他类型二极管 二极管的几种外形 1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 1.2.3 二极管的主要参数 选取管子的依据。当使用条件与测试条件不同时，参数会发生变化 1 最大整流电流IF：二极管正常运行时允许通过的最大正向平均电流。 2 最高反向工作电压UR：二极管工作时允许加的最大反向电压。超过会反向击穿。通常UR的值为击穿电压U(BR)的一半 3 反向电流IR：未击穿时的反向电流。IR越小，二极管单向性越好。 4 最高工作频率fM：二极管工作的上限截止频率。超过此值，由于结电容作用不能体现单向导电性。 1.2.4 二极管的等效电路 例1.2.1 二极管导通