三极管放大电路的分析-等效电路法.ppt

§4.3 放大电路的分析方法（二） 等效电路分析法 晶体管特性的非线形使电路分析复杂化，因此，我们总是对它作近似处理，在一定的条件下把它线性化。这是引出等效电路的指导思想。这种方法把电路理论与晶体管的特性结合起来，能有效地解决许多实际问题，是分析电子电路的有力工具。 三、等效电路分析法 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 2、晶体管共射h参数等效模型 3、用h参数模型计算交流性能 4、应用举例 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 ⑴输入特性的等效 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 ⑵、输出特性的等效 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 ⑶、合起来就得到晶体管的完整直流模型 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 晶体管工作在放大状态时，发射结总是正向偏置，集电结总是反向偏置，所以二极管可省略。 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 注意： 晶体管的直流模型是晶体管在静态时工作在放大状态的模型，使用条件是：UBEUON并且UCE?UBE。 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 ⑷、具体计算 使用双电源时 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 使用单电源、直接耦合 1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算 使用单电源、阻容耦合 2、晶体管共射h参数等效模型 ⑴、双端口网络参数的回顾⑵、 晶体管h参数模型的导出⑶、 晶体管h参数的物理意义⑷、 晶体管h参数模型的简化⑸、晶体管rbe的近似表达式 ⑴、双端口网络参数的回顾 根据电路理论，下面的双端口网络可用不同的参数方程来表示： ⑴、双端口网络参数的回顾 其中h参数在低频用的比较广泛。各参数的意义如下： ⑵、晶体管 h参数模型的导出 晶体管在共射接法时，输入输出关系如下： ⑵、晶体管 h参数模型的导出 在静态工作点附近，可用下式表示： ⑵、晶体管 h参数模型的导出 ⑵、晶体管 h参数模型的导出 上式变为： ⑵、晶体管 h参数模型的导出 若输入为正弦量，则可用向量表示，并得出h参数模型。 ⑶、 晶体管h参数的物理意义 ①、hie：输出端交流短路时的输入电阻，即uCE=UCEQ那条输入特性曲线在Q点处切线斜率的倒数。习惯上用rbe表示。 求法： hie=? uBE/?iB ⑶、 晶体管h参数的物理意义 ②、hre:输入端交流开路时的晶体管内反馈系数，即在iB= IBQ的情况下， uCE对uBE的影响。 求法： hre=? uBE/ ? uCE ， 当uCE?1V时， hre 10-2 ⑶、 晶体管h参数的物理意义 ③、 hfe：输出端交流短路时的正向电流放大倍数，它反映了基极电流对集电极电流的控制作用。习惯上用?表示。 求法： hfe= ?iC/?iB ⑶、 晶体管h参数的物理意义 ④、hoe: 输入端交流开路时的输出电导，习惯上用rce表示晶体管的输出电阻，即rce=1/ hoe。一般h22e10-5S, 即rce100K?. 求法： hoe = ?iC/?uCE ⑷、 晶体管h参数模型的简化 由以上讨论可知， hre和hoe都很小（ hre 10-2 ， hoe10-5S, rce100K? ），可忽略不计， h参数的简化模型为： ⑷、 晶体管h参数模型的简化 注意： ①电流源是受控源，不但大小决定于iB， 而且方向也必须与之对应，不能随意假定。 ② h参数模型的对象是变化量，不能用它 来求静态工作点。 ③微变等效电路虽然没反映直流量，但小信号 参数是在Q点求出的，所以计算结果反映了 工作点附近的情况。 ⑸、晶体管rbe的近似表达式 在晶体管h参数的简化模型中，?是一个基本参数，一般晶体管手册中给出，也很容易测出；但rbe不易测出，下面根据晶体管的结构和特性推出rbe的近似表达式。 在低频时不考虑结电容的影响，晶体管的结构图如下： ⑸、晶体管rbe的近似表达式 由该图可得方程： ⑸、晶体管rbe的近似表达式 根据PN结方程，发射结电流为：  （u为发射结电压） ⑸、晶体管rbe的近似表达式 其中：UT=26mV （ T＝300k ） 对小功率晶体管 通常可以取200 ，相当于基区的体电阻。 0.1mAIE5mA，超过此值范围则会带来较大误差。 3、用h参数模型计算交流性能 ⑴、基本共射放大电路 ⑵、直接耦合共