和扫描探针显微镜SPM.PPT

Ch15 15-1　導　論 奈米為一尺度單位，一奈米相當於十億分之一米(1nm＝10–9m)，最大原子的尺度約為0.3nm，分子與DNA的大小約在 5nm 左右，人體中的紅血球大小約為 3,000 nm ( 3μm)，人的頭髮直徑約為80,000 nm (80 μm)。 微米及奈米加工技術：“由上往下”(top down)，採用類似傳統雕刻方式，由大而小逐一進行材料的沉積、移除、改質；“由下往上”(bottom up)，採用由小而大的組裝方式，完成材料、元件及系統的製造。 採用已非刀具切削的方式，現在奈米加工主要使用於半導體製造技術，利用微細加工的有實績之蝕刻、化學反應加工或使用穿隧顯微鏡。 15-2　掃描探針技術 掃描式探針顯微鏡(scanning probe microscopy, SPM)是帶動奈米技術發展的關鍵技術之一，掃描探針顯微技術不僅具備非破壞性量測的特質，且可達原子級解析度，是目前備受半導體工業以及研究單位所青睞的檢測技術。其工作原理是利用回饋系統，精確的控制一尖端極細探針，在樣品表面或數奈米至數十奈米的高度作平面掃描，以兩者間作用力為回饋來取得表面結構影像。 15-2-1　前言 掃描探針顯微術技術的演進 最早是在1972年發明針尖式形狀檢測儀(stylus profilometer) 時所建立的，之後陸續有掃描電子顯微術(SEM) 和勞倫茲顯微術(Lorentz microscopy) 的建立。 1982年由瑞士IBM蘇黎士(Zurich)研究實驗室的兩名研究員Gerd Binnig 和Heinrich Rohrer 所提出，他們所組裝發明的掃描穿隧電流顯微鏡(scanning tunneling microscopy, STM) 可應用於導體材料的表面檢測。自此以後，各種掃描探針顯微鏡相繼地出現，並應用於各種材料表面特性的檢測，例如原子力顯微術(atomic force microscopy, AFM)、靜電力顯微術(electrostatic force microscopy, EFM)、掃描近場光學顯微術(near-field scanning optical microscopy, NSOM)、磁力顯微術(manetic force microscopy, MFM)等。 掃描電子顯微鏡 (SPM)是創造高解析度三度空間的表面輪廓描繪的測量工具，藉由縮減裝置尺寸至奈米等級，電流狀況影響聚焦技術的顯影術發展就像電子束顯影術，極紫外光顯影術，刻痕顯影術，和掃描探針顯微鏡 (SPM)顯影術。電子束和 SPM 顯影術為大多數的奈米尺度解析度中可降至低於10 nm的範圍。 SPM擁有原子級操作能力及為各種不同表面使用不同有機薄薄膜曝光方法局部修正的能力，和在各種不同的基材作選擇性的陽極化。SPM優於現行的任何光刻技術和電子束蝕刻技術，因為SPM可以加工小到單個原子的結構(約0.3nm)，但是用SPM來加工未來的積體電路同樣面臨加工速度的問題。 15-2-2　掃描探針顯微鏡操作原理 掃描探針顯微鏡乃是一群具有著類似操作方式之儀器的總稱，其共同的操作方式不外乎是利用一極細微之探針在極靠近試片表面處對試片表面性質進行探測，由於探針尖端僅與局部的試片表面發生交互作用，故所探測知結果也僅是試片表面的局部性質，倘若配合一掃描平台來移動試片或探針，則可獲的較大範圍的試片表面性質。 微探針 主要是利用其針尖和試片表面產生交互作用，以探測各種試片的表面性質，如地形、電場分佈、磁場分佈和光學特性等等。到目前為止，被使用的交互作用包括穿隧電流、原子力、靜電力、磁力和晶格力等等，依據不同的交互作用所採用的探針亦有所不同，如使用穿隧電流的掃瞄穿隧伍流顯微鏡．其所需的微探針便是要具備有導電性，而使用原子間作用力的原子力願微鏡，則需要對原子力變化敏感的微探針。 位置感測系統 微探針必須在極靠近試片表面處進行探測，因此，需要感測系統來監控探針與試片問的間距。由於此一間距通常只有幾個奈米，加上空間的限制，故無法對間距做直接的量測，為此通常需要一些間接的量測方法。 (1)穿隧電流感測器 由於穿隧電流間距存有一關係式，如下所示： It = Ve(-cd) 在此 It 為穿隧電流， V 為施加於探針和試片問的偏壓，c 為一材料常數，d 為微探針和試片間的間距。在材料常數和偏壓 V為一定值的情況下，由上述的關係式可知間距 d 將是唯一影響穿隧電流大小的變數，因此，藉由維持穿隧電流的大小，即可達到控制間距的目的。 (2)力量感測器 使用雷射二極體產生一雷射光束，經鏡片校正後聚焦於探針末端背面上，並反射至光檢測器。當探針產生變形時，光感測器接收到的光源訊號便會產生變化，並使光感測器的輸出訊號亦產生變化，此輸出訊號經放大器放大後迴饋至控制系統，