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应用指导书 样品名：ME8200 版本号：V1.0 日 期：2010-12-27 地址：南京玄武区玄武大道699-8号一号楼5层 025 Page 1 of 7 一、 芯片介绍与注意事项 1. 引脚分配： 引脚名称 描述说明 GND 芯片地 FB 反馈输入引脚。 PWM 占空比取决于这个引脚电压等级和SENSE 引 脚输入。 RI 内部振荡器频率设置引脚。RI 和 GND 之间连接一个电阻器设定 PWM 频率。 SENSE 电流检测输入引脚。连接到MOSFET 的电流检测电阻器节点。 VDD 芯片直流电源引脚。 GATE 图腾柱栅极驱动输出的功率MOSFET。 2. FB反馈输入脚： 了解该脚各电压门限相对应的系统工作状态对分析和优化系统设计非常有帮助的。 1.0V-1.4V为系统在轻载间歇模式下的FB脚电压值，1.4V-3.5V为系统正常工作时FB 脚电压值，3.5 V-4.8V为反馈环路开路，过功率保护，短路保护时FB脚电压值。1.0V （典型值）以下GATE端输出被关闭，FB短路电流典型值为1mA。当FB脚电压持续35mS 大于3.5V或小于0.9V时,GATE端立即关闭输出脉冲，保护整个系统的安全。 3.PWM工作频率设定： ME8200 RI脚为外部调节工作频率脚，RI的取值大小决定工作频率，典型工作频率在 50KHz和65KHz之间，工作频率计算公式如下： 4. 电流检测SENSE脚： 开关电流经过一检测电阻流进SENSE脚，进行PWM调制。另外内置一前沿消隐电路，可 以为系统节省一外部 R-C网络。如前沿噪声超过前沿消隐时间导致系统异常时，可以考 地址：南京玄武区玄武大道699-8号一号楼5层 025 Page 2 of 7 虑外加R-C网络，但是R-C网络取值不宜过大，否则电流反馈信号失真过大导致在启动和 输出短路时MOS管VDS过高等异常现象。 5. 电源VDD脚： ME8200 的启动电流低至1uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时间。 6. GATE驱动脚： ME8200采用图腾结构驱动输出，可直接驱动 MOSFET。同时芯片还内置了一个18V的驱 动输出嵌位电路，防止由于某种原因导致系统驱动输出电压过高使 MOSFET的栅极击穿。 另外芯片设计时对驱动进行了软驱动优化处理，改善系统 EMI。 7. 保护功能说明： 好的电源系统一定有完善的保护装置包括：过电流保护（OCP） 、过载保护（OLP） 、 输入VDD过压嵌位、驱动过压嵌位、VDD欠压锁定（UVLO）等。 1） OCP和 OLP芯片SENSE 脚通过检测系统初极侧流过主开关管的电流信号活动，芯片能 检测到系统过流或者过功率的状况。当系统输出发生短路、过流或过功率现象时，如果 SENSE 脚的电压 V 超过0.75V（典型值）时，GATE脚输出脉宽将会被限制输出，这 TH-OC 时系统处于恒功率输出状态Po=Vo*Io。即如果增加输出负载电流，系统输出电压相应下 降，FB电压相应上升，当这种现象持续35mS后，系统将进入打嗝式保护状态。 2） 输入VDD过压嵌位 ME8200芯片VDD 脚内置有优异的过压嵌位电路，当 VDD 脚电压由于系统发生异常导致 VDD 电压上升到33V（典型值）时，芯片会自动进入过压嵌位状态，同时 GATE 停止输 出脉宽，从而保护整个系统的安全。注意：VDD最大嵌位电流为10mA.如VDD嵌位当中 且继续升高的话，超过芯片的耐受力则芯片有可能会烧毁。 3） VDD欠压保护（UVLO） M