SiO2固态电解质中的质子特性对氧化物双电层薄膜晶体管性能的影响.PDF

SiO 固态电解质中的质子特性对氧化物双电层薄膜晶体管性能的影响 郭文昊 肖惠 门传玲 EffectsofprotonswithinSiO solid-stateelectrolyteonperformancesofoxideelectric-double-layerthin filmtransistor GuoWen-Hao XiaoHui MenChuan-Ling 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,077302(2015) DOI: 10.7498/aps.64.077302 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.077302 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I7 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin 化学气相沉积中影蔽效应对硅薄膜表面形貌和微结构的影响 Influence of shadowing effect on morphology and microstructure of silicon thin film in chemical vapor deposition 物理学报.2014,63(17): 177303 /10.7498/aps.63.177303 基于一维光子晶体的新型背反射器及其在非晶硅薄膜太阳电池中的应用 One-dimensionalphotoniccrystal(1DPC)-basedbackreflectorsfor amorphous silicon thin film solarcell 物理学报.2014,63(7): 077301 /10.7498/aps.63.077301 基于P掺杂SiO 为栅介质的超低压侧栅薄膜晶体管 Ultralow-voltagein-plane-gateindium-tin-oxidethin-film transistors madeof P-doped SiO dielectrics 物理学报.2013,62(11): 117305 /10.7498/aps.62.117305 Al 掺杂的尖晶石型LiMn O 的结构和电子性质 StructuralandelectronicpropertiesofAl-dopedspinelLiMn O 物理学报.2012,61(18): 187306 /10.7498/aps.61.187306 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 7 (2015) 077302 SiO 固态电解质中的质子特性对氧化物双电层 薄膜晶体管性能的影响 郭文昊 肖惠 门传玲 1) (上海理工大学能源与动力工程学院, 上海 200093) 2)(中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 宁波 315201) ( 2014 年9 月18 日收到; 2014 年11 月16 日收到修改稿) 本文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD) 在室温条件下制备了具有双电层效应的二氧化硅 (SiO ) 固体电解质薄膜, 并以此SiO 薄膜作为栅介质制备了氧化铟锌(IZO) 双电层薄膜晶体管. 本文系统 地研究了SiO 固体电解质中的质子特性对双电层薄膜晶体管性能的影响, 研究结果表明, 经过纯水浸泡的 SiO 固体电解质薄膜可以诱导出较多的可迁移质子, 因此表现出较大的双电层电容. 由于SiO 固体电解质 薄膜具有质子迁移特性, 晶体管的转移特性曲线呈现出逆时针方向的洄滞现象, 并且这一