azo透明导电薄膜的制备 preparation of azo transparent conductive thin films.pdfVIP

下载本文档

2
0
约2.03万字
约 5页
2017-08-21 发布于上海
举报
版权申诉

azo透明导电薄膜的制备 preparation of azo transparent conductive thin films.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

azo透明导电薄膜的制备 preparation of azo transparent conductive thin films

第31卷第6期电子元件与材料、，ol-3lNo．6 2012年6月 ELECTRONICCOMPONENTSANDMATERIALS Jan，2012 AZO透明导电薄膜的制备刘丹妮，史永胜，马猛飞，杨巍巍，杨若欣 (陕西科技大学电气与信息工程学院，陕西西安710021) 摘要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO：AI(AZO)透明导电薄膜，并借助XRD、SEM等表征方法，研究了溅射功率和衬底温度对薄膜结构，表面形貌及光电特性的影响。结果表明，制备薄膜的最佳溅射功率和衬底 n，口，温度分别为180W、200℃，在此条件下制备的AZO薄膜具有明显的e轴(002)择优取向，其最低方块电阻为18 在可见先范围内的平均透光率超过91％，且透明导电性能优于目前平板显示器的要求，有望取代现在市场上的主流氧化铟锡(ITO)薄膜。关键词：AZO；溅射功率；衬底温度；结构特性；光电特性中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2012)06—0071．05 ofAZO conductive Preparationtransparentthinfilms LIU Ruoxin Danni，SHIYongsheng，MAMengfei，YANGWeiwei，YANG ofElectricalandInformation ofScience (College Engineering,ShaaxiUniversity andTechnology,Xi’an 710021，China) Abstract：Aluminumzincoxidefilmswere methodon doped depositedbyRF-magnetrousputtering glasssubstrate， theeffectsof andsubstrate onthe of sputteringpower temperaturestructure，surfacetopography,photoelectricproperties AZOfilmswere XRD、SEM。eta1．Theresultsshowthatthebest using andsubstrate investigatedby sputteringpower tO filmsale180Wand AZOfilm onthisconditionis temperatureprepare 200℃respectively,Theprepared hi曲ly oriented thelowestsheetresistanceis1 uansmiuanceinthevisible is alonge-axis(002)，and 8甜口，theavera