b+注入隔离在宽禁带半导体中的应用 application of b+ implantation in widegap semiconductor materials and devices.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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b+注入隔离在宽禁带半导体中的应用 application of b+ implantation in widegap semiconductor materials and devices.pdf

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b注入隔离在宽禁带半导体中的应用applicationofbimplantationinwidegapsemiconductormaterialsanddevices

第31卷第3期固体电子学研究与进展 VoI．31。No．3 2011年6月 OF Jun．，2011 RESEARCHPROGRESSSSE B+注入隔离在宽禁带半导体中的应用李春P 陈刚2 李宇柱2 周建军2 李肖1 (1南京电子器件研究所，南京．210016)(z南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016) 201I-Ol一19收稿，2011-03—25收改稿摘要：利用B+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过MonteCarlo软件TRIM模拟，优化离子注入能量和剂量。在SiCMESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流，表现了很好的隔离效果；通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。关键词：离子注入；隔离；宽禁带半导体；碳化硅金属一半导体场效应晶体管；氮化镓中图分类号：TN304．2+3；TN305．3文献标识码：A 文章编号：1000．3819(2011)03—0233—03 of in Semiconductor ApplicationB+ImplantationWidegap MaterialsandDevices LIChunlCHEN LIYuzhu2ZHOU LIXia01 Gan92 Jianjun2 ElectronicDevices QNan缸ng Institute，Nan扣ng，210016，CHN) (2Scienceand onMonolithic CircuitsandModules Technology Integrated Laboratory，Nanjing ElectronicDevices Institute，Nanjing，210016。CHN) describestheisolationof semiconductormaterialsanddevices Abstract：This paper widegap anddosewas theMonteCarlo optimized usingB+implantation．Theimplantiongenergy through was simulatorTRIM．ThenAcurrent intwo ofSiCMESFETwithdifferent producedsamples ofGaNHEMTwithsame iS conditionandthree condition．Goodelectricalisolation samples shown．Themeasuredbreakdown