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cmos伪差分e类射频功率放大器设计 design of the pseudo-differential class-e rf power amplifier in cmos process
丧3研技2010年第23卷第10期
ElectronicSci．＆Tech．／Oct．15．2010
CMOS伪差分E类射频功率放大器设计
罗志聪1，黄世震2
(1．福建农林大学机电工程学院，福建福州350002；
2．福州大学福建省微电子与集成电路重点实验室，福建福州35002)
摘要分析了E类功放的非理想因素，其中着重分析寄生电感对系统性能的影响，采用伪差分E类功放结构有效
地抑制寄生电感的影响。最后基于理想的设计方程和Load
Pull技术，采用o．18岬CMOS工艺，设计出高效率的差分E
类功率放大器。在电源电压1．8V，温度25℃，输入信号0dBm条件下，具有最大输出功率26．1dBm，PAE为60．2％。
关键词伪差分E类；射频功率放大器；Loadpull技术；寄生电感；CMOS
中图分类号TP722文献标识码A 文章编号1007—7820(2010)10—049—04
ofthePseudo-differentialClass-ElⅫPower inCMoSProcess
Design Amplifier
Luo Shizhen2
Zhicon91．Huang
andElectrical And
(1．Mechanical Agriculture 350002，China；
EngineeringCollege，Fujian ForestryUniversity，Fuzhou
of
2．FujiankeyLaboratoryMicroelectronicsIntegratedCircuits，FuzhouUniversity，Fuzhou350002，China)
AbstractThenon-idealfactorsofClassE are with ontheParasiticinduct—
poweramplifiersanalyzedemphasis
ance is the ClassE structure．Based
effect，which
effectivelysuppressedbyusingpseudo-differentialpoweramplifier
ontheideal andload efficientdifferentialclassE is in
design pulltechniques．an poweramplifierdesigned
equations
TSMC results ADS(Advanced thatthe Call
0．18“m process．Simulationusing DesignSystem)showpoweramplifier
deliver26．1dBm with undera of
single voltage
outputpower60．2％power—added-efficiencyrespectively supply
1．8Vand of0dBm．
inputpower
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