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分析高辉度4元系LED芯片技术与制作方法 　　前言 　　最近几年发光二极管(LED)的发光效率获得大幅改善，由于发光二极管具备低消费电力与长寿命特征，一般认为未来发光二极管可望成为次世代省能源照明光源。长久以来发光二极管的发展动向一直备受全球高度期待，特别是使用高发光效率InGaN系发光层的蓝光，以及使用绿光高输出LED，与4 元系AlGaInP发光层的黄光、橙光、红光的高辉度LED，顿时成为全球注目的焦点。 　　目前这些发光效率超越传统荧光灯、白热灯泡的LED已经陆续商品化，同时还持续拓展市场规模与应用领域。接着本文要深入探讨广泛应用在各种领域的4元系AlGaInP红光LED芯片，高辉度技术与制作方法。 　　芯片特征 　　LED芯片属于具备发光功能的二极管，它的外形尺寸大约只有0.2~1mm呈长方形。如图1(b)所示商品化LED是将LED芯片固定在封装基板与导线架上，铺设金线后再以透明树脂密封包覆。LED依照用途封装成炮弹型、正面、侧面出光表面型，以及考虑散热性的大电力用灯泡型等各种形状。 　　 　　LED芯片本身也有许多种类，依照封装组立方式的不同，LED芯片的结构也截然不同。此外LED芯片的尺寸必需根据使用电力选择。图1(a)是铜凸块(Bump)方式，使用覆晶(Flip Chip Type)LED的断面结构图。LED的特性取决于LED芯片的发光性能、封装后的取光效率、集光技术，因此芯片的高辉度化、封装的高性能化、芯片与封装的组合优化设计都非常重要。 　　化合物半导体与发光波长 　　图2是LED发光层材质与发光波长的关系，如图所示高辉度LED使用的InGaN系(紫外线~绿光)、AlGaInP系(黄绿光~红光)、AlGaAs系(红光~红外线)材料，都是高发光效率化合物半导体结晶，这些半导体材料依照发光层的结晶组成，决定LED的发光波长。 　　 　　图3是从结晶基板一直到LED芯片的制作流程，如图所示GaP多结晶使高纯度镓(Ga)与磷(P)原料，在高温、高压环境下反应形成GaP多结晶，接着将此高纯度多结晶的原料，在高温、高压环境下溶解，与种晶接触的同时一边旋转固化形成圆筒状GaP单结晶锭(Ingot)，最后经过裁切、定厚加工、研磨加工，制成单结晶镜面晶圆，一般LED用基板也是使用GaAs单结晶基板。 　　 　　高辉度AlGaInP芯片的制作，分别使用GaAs长晶基板与GaP与黏贴用透明基板，由于这些基板的载子浓度、转位密度、表面粗糙度，都会影响LED芯片的特性，因此必需作精密控制。接着在单结晶基板表面制作具备发光特性的单结晶多层膜，此制程又称作「磊晶(Epitaxial)」的单结晶长晶制程，会决定LED芯片的发光效率、发光波长、电气特性，因此必需透过已经长晶的化合物半导体层结构、结晶组成、载子浓度、膜厚的多层膜结构控制，形成具备发光功能的磊晶晶圆。磊晶的制作方法分成：厚膜法、适合量产的液相法、AlGaInP常用的薄膜法、适合制作多层膜的金属有机物化学气相沉积法(Metal Organic Chemical-Vapor Deposition; MOCVD)等等。 　　组件化(芯片化)制程主要是在磊晶晶圆上，制作n型与p型奥姆电极，最后再将已经制作奥姆电极的晶圆，裁切成0.3×0.3mm一定大小，制成晶粒状LED芯片，此时为提高LED的辉度，组件化制程会采用各种独自开发的技术制作。 　　AlGaInP LED芯片的高辉度化 　　LED芯片的发光效率取决于发光层的光线取出效率，为提高内部量子效率，发光层的材质、结构、质量优化、发光层的均匀电流供给、防止发光层的温度上升，等细部设计非常重要，这意味着光线取出效率的提升，降低芯片内部光吸收、反射的光学设计与制作技术，成为关键性要因。接着依序介绍：(a)内部量子效率;(b)电流扩散;(c)发光层的温升等可以提升AlGaInP LED芯片的发光效率的技术动向。 　　内部量子效率 　　提高内部量子效率，磊晶制程制成的发光层结构与结晶质量的控制非常重要。高辉度LED芯片的发光层结构， 大多利用相异半导体材料构成的异质(Hetero)接合，亦即利用半导体材料的能隙(Bandgap)差异提高发光效率。一般认定发光层薄膜、多层化的量子井结构， 与多重量子井结构(MQW: Multi Quantem Well)的发光效率最高。 　　为提高发光效率，要求可以精密控制经过优化设计的复杂多膜层长晶技术，虽然提高发光层的结晶质量，涉及量子井效率提升，不过基本上可以降低发光层不纯物与结晶缺陷技术，以及异质接合界面等高度磊晶制作技术，一直是研究的焦点。 　　电流扩散 　　所谓电流扩散是指透过发光层结构与电极结构的设计，使电流扩散到芯片整体，藉此提供给发光层提高发光效率的技术。特别是AlGaInP LED芯片的磊晶