模电 第四章1(第五版)——康华光.pptVIP

三极管偏置情况总结 * 第四章 三极管及放大电路基础 第4章?????????双极结型三极管及放大电路基础 4.1 晶体管 半导体三极管（BJT），又称双极结型晶体管，通常称晶体管。 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 4.1.1 结构简介 (a) NPN型管结构示意图 NPN管的电路符号 基极 集电极 发射极 4.1.1 结构简介 (b) PNP型管结构示意图 PNP管的电路符号 集电极 基极 发射极 工艺特点： 发射区为高浓度参杂区，基区很薄且掺杂浓度很低，集电结面积大且掺杂浓度低 。 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 条件：集电结反偏 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 1．BJT内部载流子的传输过程 三个区的作用（NPN）： 发射区：多子（电子）浓度高，负责向基区发射电子载流子。 基区：薄、掺杂浓度很低；负责传送和控制从发射区来的电子 载流子。 集电区：掺杂浓度低 ，负责收集经基区传输而来的发射区发射 的电子载流子。 发射结正偏 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 放大状态下BJT中载流子的传输过程 发射区：向基区发射载流子。 基区：传送和控制从发射区来的载流子。 集电区：收集经基区传输来载流子。 IE=IB+ IC （1）发射区向基区扩散载流子形成发射极电流IE 发射结正偏、内电场减小，E区多子（电子）扩散? b区，形成IE； 同时B区多子（空穴） ? E区，形成IEP。 放大状态下BJT中载流子的传输过程 故，IE= IEN+ IEP （2）载流子在基区扩散与复合，形成复合电流IBN 放大状态下BJT中载流子的传输过程 电子载流子经B区向C区扩散，其中一部分与b区的空穴复合，形成基极电流IBN。 （2）载流子在基区扩散与复合，形成复合电流IBN 放大状态下BJT中载流子的传输过程 基极电流IBN ，就是电子在基区中与空穴复合的电流，即有部分电子未达到C结，对C极收集电子载流子不利。 措施：基区薄，减小复合机会；惨杂低，即空穴少，使大部分电子到达集电结。 （3）集电区收集载流子，形成集电极电流IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 集电结反偏，内电场加大，对电子有很强的吸引力，使其很快地漂移过集电结为集电区收集，形成集电极电流ICN。 （3）集电区收集载流子，形成集电极电流IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 集电结反偏，b区少子（电子）和C区的 少子（空穴）在结电场的作用下，形成反向漂移电流ICBO。 故，IC= ICN+ ICBO IB= IEP+ IBN - ICBO = IEP+ IEN - ICN - ICBO = IE－IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 注： ① C区面积大、掺杂低。与e区差别很大，故e极和C极不可互换。 ② BJT中有两种载流子参与导电，故称为双极型晶体管 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= ICN+ ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 根据 IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 2. 电流分配关系 3. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， 当 ? = 0.98 时， 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 1．共射极电路的特性曲线 1）输入特性