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x射线光刻和剥离技术制作声表面波叉指换能器 fabrication of saw interdigitated transducer by x-ray lithography and metal lift-off
第6期 微细加工技术 No.6
2008年12月 MICROFABRICATl0NTECHNOLOGY Dec.,2008
文章编号:1003.8213(2008)06—0004—03
X射线光刻和剥离技术制作声表面波叉指换能器
李晶晶1一,赵以贵1,贾锐1,李冬梅1,牛洁斌1,柯导明2,陈军宁2
(1.中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室,北京100029;
2.安徽大学电子科学与技术学院,合肥230039)
摘要:提供了采用电子束光刻、x射线光刻和金属剥离技术制作亚微米尺寸的声表面波叉指换能器的方法。首先
利用电子束光刻和微电镀技术制作x射线光刻的掩模,然后利用x射线光刻和剥离技术高效地制作大面积、纳米
尺电、电极陡直均匀的叉指换能器。制备出的叉指电极特征尺寸为600nm,面积为4mm×6mm,断指率小于
3‰,可应用于高频声表面波器件中。研究结果表明,x射线光刻结合剥离技术是一种制备高频SAW器件的优良
方法。
关键词:声表面波器件;叉指换能器;X射线光刻;电子束光刻;剥离
中图分类号:TN305 文献标识码:A
1 引言 料刻蚀会对基片表面造成机械损伤和粘污,严重的将引起界
面态和表面态,对器件性能产生影响。所以采用电子束光刻
制作的叉指换能器在一定程度上降低了器件性能,而且效率
声表面波SAW器件一般是由压电基片和沉积在基片表
比较低。
面的一对金属叉指换能器组成。其中压电换能器的叉指电极
利用x射线光刻制备声SAW叉指换能器,国外已展开
宽度D一般设计为声表面波波长A的1/4,即D=I/4A,且
相关研究【4。5
J,而国内由于受到微细加工的条件及同步辐射
A=v/厂(式中,u为声表面波的传播速度,厂为声表面波器件
X射线光源的限制,利用x射线光刻制备SAW器件国内还
的中心频率)。对于常见的压电介质而言,当工作中心频率达
未见报道。在本研究工作中,尝试采用电子束光刻、X射线光
到1GHz时,叉指换能器电极将小于1
ttm,而且随着移动通
刻复制和剥离技术相结合的方法制备SAW叉指换能器。首
信系统的工作频率向2GHz以上攀升,以及高性能传感技术
先在一个背散射效应很小的镂空薄膜上利用电子束直写光刻
的发展,要求线条越来越细,精度越来越高,甚至达到百纳米
技术制备出具有纳米尺寸叉指换能器图形作为母版,然后在
左右才能满足移动通信市场和传感技术快速发展的要求。此
压电基片上采用x射线曝光得到叉指换能器胶图形,通过电
外,SAW器件对叉指换能器金属电极的厚度、剖面形状也有
子束蒸发、剥离形成叉指换能器电极,这样就可以极大地减小
着严格的要求,因为这些将直接影响器件的频率、带宽及插
电极材料的背散射效应,得到纳米尺寸的叉指换能器电极,迸
损,决定器件的响应频率。
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