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第二章 晶体管及放大电路基础 1．晶体管能够放大的外部条件是_________。 (a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏 (c) 发射结正偏，集电结反偏 2．当晶体管工作于饱和状态时，其_________。 (a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏 (c) 发射结正偏，集电结反偏 3．对于硅晶体管来说其死区电压约为_________。 (a) 0.1V (b) 0.5V (c) 0.7V 4．锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________。 (a) 0.1V (b) 0.3V (c) 0.5V 5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的为_________。 (a) 40 (b) 50 (c) 60 6．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________。 (a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化 7．与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________。 (a) 高 (b) 低 (c) 一样 8．温度升高，晶体管的电流放大系数b_________。 (a) 增大 (b) 减小 (c) 不变 9．温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________。 (a) 升高 (b) 降低 (c) 不变 10．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________极的电位最低。 (a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极 11．温度升高，晶体管输入特性曲线_________。 (a) 右移 (b) 左移 (c) 不变 12．温度升高，晶体管输出特性曲线_________。 (a) 上移 (b) 下移 (c) 不变 13．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________。 (a) 不变 (b) 减小 (c) 增大 14．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC_________。 (a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断 15.当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是_________。 (a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小 16．对于电压放大器来说，_________越小，电路的带负载能力越强。 (a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数 17．测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管为_________。 (a) NPN型锗管 (b) PNP型锗管 (c) PNP型硅管 18．测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管_________ 。 (a) 处于饱和状态 (b) 放大状态 (c) 截止状态 (d) 已损坏 19．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________。 (a) 同相 (b) 反相 (c) 相差90度 20．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________失真。 (a) 饱和 (b) 截止 (c) 饱和和截止 21．引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是_________。 (a) 输入电阻太小 (b) 静态工作点偏低 (c) 静态工作点偏高 22．一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压的幅度时，输出电压的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应_________。 (a) 减小 (b) 减小 (c) 减小 23．利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_________。 (a) 输出功率 (b) 静态工作点 (c) 交流参数 24. NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为_________。 （a） (b) （c） 25. 既能放大电压，也能放大电流的是_________放大电路。 (a) 共射极 (b) 共集电极 (c) 共基极 26．引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。 (a) 晶体管的电流放大系数太大 (b) 电源电压太高 (c) 晶体管参数随环境温度的变化而变化 27. 在放大电路中，直流负反馈可以________。 (a) 提高晶体管电流放大倍数的稳定性 (b) 提高放大电路的放大倍数 (c) 稳定电路的静态工作点 28. 可以放大电压，但不能放大电流的是_________放大电路。 (a) 共射极 (b) 共集电极 (c) 共基极 29. 射极输出器无放大_________的能力。 (a) 电压 (b) 电流 (c) 功率 30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是________放大电路。 (a) 共射极 (b) 共集电