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基本放大电路交流通路和直流通路
第 2章 半导体三极管及其基本放大电路 140218110高益雄 本章 要知道:三极管管型、符号、三极管各电极电流关系、处于放大状态三极管各电极电位的关系、三极管处于放大、饱和、截止三种状态的条件。三种组态放大电路的特点和适用场合及输出与输入相位关系;放大电路的动态指标。静态、动态、直流通路、交流通路、非线性失真等基本概念。 会计算:三种基本放大电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 会画出:典型的固定偏流共射基本放大电路、分压式工作点稳定电路、共集基本放大电路以及它们的直流通路、交流通路、交流微变等效电路。 会确定:三极管放大电路三种组态;三极管在电路中的放大、饱和、截止状态;由三个电极电位关系确定三极管管型。 会使用:光电三极管和光电耦合器。 2.1 半导体三极管 2.1.1 三极管的结构与符号 半导体三极管,又称双极型晶体管、晶体管等,以后简称三极管。三极管结构示意图如图2-1-1所示。其中图2-1-1(a)所示为NPN型管,图2-1-1(b)所示是PNP型管 2.1 半导体三极管 2.1.1 三极管的结构与符号 三极管的电路符号和文字符号如图2-1-2所示,图中箭头方向表示发射结正偏时电流的实际方向。文字符号用T或V表示。 2.1 半导体三极管 2.1.2 三极管的放大原理 1.放大的概念 电子电路中所说的放大,有两方面的含义:一是放大的对象是变化量,二是指对能量的控制作用。具有能量控制作用的器件,称为有源器件,如三极管、场效应管、集成运放等。 2.三极管的偏置 三极管实现放大除了满足内部条件外,还应满足外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。图2-1-3(a)为NPN管组成的放大电路的外部电路 ,应满足UC>UB>UE;图2-1-3(b)为PNP管组成的放大电路的外部电路,应满足UC<UB<UE。 2.1 半导体三极管 2.1.2 三极管的放大原理 2.三极管的偏置 2.1 半导体三极管 2.1.2 三极管的放大原理 3.三极管内部载流子的运动和各极电流的形成 图2-1-4是一个简单的放大电路,图中△UI是一个作为控制用的微小的变化电压,它接在基极和发射极所在的回路(称为输入回路)中,放大后的信号出现在集电极和发射极所在的回路(称为输出回路)中,由于输入和输出回路以发射极为公共端,所以称为共发射极电路(简称共射电路)。 2.1 半导体三极管 2.1.2 三极管的放大原理 3.三极管内部载流子的运动和各极电流的形成 如图2-1-5所示,由于发射结加正向电压,因而有利于该结两边半导体中多子的扩散。发射区的电子源源不断地越过发射结扩散到基区,同时,基区的空穴也要扩散到发射区。由于基区的掺杂浓度远低于发射区,所以流过发射结的正向电流主要是由发射区的多子(自由电子)向基区扩散形成的,且电源不断向发射区补充电子,从而形成发射极电流。 2.1 半导体三极管 2.1.2 三极管的放大原理 3.三极管内部载流子的运动和各极电流的形成 如图2-1-5所示,由于发射结加正向电压,因而有利于该结两边半导体中多子的扩散。发射区的电子源源不断地越过发射结扩散到基区,同时,基区的空穴也要扩散到发射区。由于基区的掺杂浓度远低于发射区,所以流过发射结的正向电流主要是由发射区的多子(自由电子)向基区扩散形成的,且电源不断向发射区补充电子,从而形成发射极电流。 2.1 半导体三极管 2.1.3 三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线,也叫伏安特性。三极管的伏安特性主要有输入特性和输出特性两种。 2.2 基本放大电路 2.2.1 基本放大电路的组成和元件作用 图2-2-1所示为由一个NPN型三极管组成的共射基本放大电路。AO为其输入端,外接待放大的信号us,Rs是信号源的内阻;BO是放大电路的输出端,外接负载RL。发射极是放大电路输入回路与输出回路的公共端,故称该电路为共射基本放大电路。 2.2 基本放大电路 2.2.1 基本放大电路的组成和元件作用 放大电路的组成原则 通过上面的讨论,我们可以归纳出组成基本放大电路时必须遵循的几条原则: (1) 必须有直流电源,且电源的极性必须使发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置,以保证三极管处于放大状态。 (2) 输入回路的接法,应当使输入的变化电压ui能产生变化的电流iB,因为iB直接控制着iC。 (3) 输出回路的接法,应产生受iB控制的iC,并且尽可能多地流到负载上去,减少其他支路的分流。 (4) 为了保证放大电路的正常工作,必须在没有外加信号时,使三极管不仅处于放大状态,还要有一个合适的直流电压和电流,即必须合理设置静态工
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