FeS2薄膜和纳米棒的制备及性能的分析研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文采用溶胶凝胶法制备了先驱体Fe203薄膜，再通过硫化制得FeS2薄膜。 采用原子力显微镜对不同硫化温度制备的薄膜表面粗糙程度的演变进行了研究， 分析了面缺陷(表面、晶界)和点缺陷(空位、间隙原子)对FeS2薄膜光电性 能的影响。应用阻抗谱定量地研究晶粒和晶界对不同厚度FeS2薄膜电学性能的 贡献和影响。对于不同厚度FeS2薄膜的微观组织和光学性能也进行了研究。另 外，本文采用硫化水热法制备的先驱体Fe203纳米棒的方式分别制备了FeS2纳米 棒和薄膜，并研究了硫化参数对FeS2微观组织、光学、光电流响应等性能的影 响。 硫化温度为400oC时溶胶凝胶法制备的Fe203薄膜可以充分形成FeS2薄膜。 FeS2薄膜粗糙度随着硫化温度的增加先减小后增大。薄膜在高硫化温度主要发生 热力学粗糙化而在低硫化温度主要为动力学粗糙化(原子迁移速度慢)。光吸收 系数和禁带宽度受薄膜微观组织和各种缺陷的影响，随硫化温度的增大而减小。 点缺陷和面缺陷的交互作用结果使得薄膜的迁移率随硫化温度的变化不明显。电 阻率主要受载流子浓度的影响随着硫化温度的升高而增加。 采用阻抗谱结合砖层模型得出