MOCVD源化合物的制备及性能表征.pdfVIP

摘要 中国科学技术大学硕二b学位沦文，2006 摘 要 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)是近年来迅速发展起来的一种无机材 料薄膜制备技术。因其具有淀积温度低、生长速率快、组成易于控制、薄膜质量 好等突出优点，而广泛应用于包括半导体器件、光学器件、气敏元件、超导薄膜 材料、铁电／铁磁薄膜、高介电材料等多种薄膜材料的制备。 获得合适的金属有机前驱物及其性质是决定MOCVD技术应用成败的关键， 过程的重复性以及薄膜质量很大程度上取决于金属有机前驱物的热分解行为。应 新型固体氧化物电池(SOFCs)能源技术发展的需要，本论文着重研究采用 MOCVD技术制备SOFCs电极以及连接材料，所需要的金属有机源物质——B． 二酮螯合物的合成及性能表征，采用的p一二酮为2,2，6，6．四甲基．3，5．庚二酮(DPM 论文第一章简单介绍了MOCVD技术及其应用，主要介绍了MOCVD技术 对金属有机源化合物性质的要求，目前广泛使用的各种源物质及性能特点，以及 金属有机源化合物的发展趋势，特别是D．二酮类金属螯合物源化合物的现状。同 时简要介绍了SOFCs技术及关键材料。 第二章是关于B．二酮，DPM(DPM=