Si83Ge17%2fSi基底上HfO2薄膜的介电性能及纳米磁性.pdfVIP

摘要 凝聚态物理专业硕士研究生：涂雅婷 指导教师：邱晓燕副教授 摘 要 随着巨大规模集成电路(GSI)的问世，其基本组成单元补偿性金属．氧化物一半 为了保持足够大的驱动电流和高的栅极电容，传统Si02／SiOxNv栅介质层厚度也 随之减薄。但当其厚度减小至l姗时，量子隧穿效应导致的栅极漏电流剧增， 驱动电流骤减，硼(磷)杂质隧穿导致的器件可靠性下降等一系列问题使得 电学性能以及在硅半导体衬底上良好的热力学稳定性，最有望替代Si02／sioxNv 成为下一代CMOS．FETs的栅介质候选材料。另一方面，由于硅中空穴迁移率远 低于电子迁移率，传统的硅半导体衬底也逐渐不能满足集成电路(IC)更高集成度的 要求，寻找新型的半导体衬底也是大势所趋。考虑到与现有成熟硅基半导体工艺 类si／siGe异质结堆栈结构为主。其中，在Si中掺杂一定原子比的Ge形成的 Sil．xGex体系由于晶格常数失配产生的应力，可同时提高电子和空穴的沟道迁移 人们的关注。 质薄膜。利用X射线衍射对薄膜进行物相分析，测试分析结果表明沉积H∞2薄膜 数字万用表测试了薄