第五课非平衡载流子.pptVIP

第五章非平衡载流子 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 5.3准费米能级 5.4复合理论 5.5 陷阱效应 5.6 载流子的扩散方程 5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 5.8 连续性方程 5.1非平衡载流子的注入与复合 非简并半导体，处于热平衡时，电子浓度n0，空穴浓度P0 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.1非平衡载流子的注入与复合 光生过剩电子和过剩空穴的浓度 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.1非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 外界作用：注入△n， △p使 5.2 非平衡载流子的寿命 1.非平衡载流子并不是立刻全部消失，即它们在导带 和价带中有一定的生存时间，有的长，有的短。 2. 非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用?表示，单位秒。 3. 非平衡少数载流子起主导的、决定的作用，非平衡载流子的寿命常称为少数载流子的寿命。 5.2 非平衡载流子的寿命 5.2 非平衡载流子的寿命 由于复合作用，每个非平衡载流子生存的时间不同，其平均生存时间为： 5.2 非平衡载流子的寿命 测量非平衡载流子的寿命的实验方法： 少子寿命测试仪 光电导衰减法 光磁电法  5.3准费米能级 非平衡载流子注入，就不再存在统一的费米能级了。但在同一能带内，由于载流子之间的相互散射，很快就可以达到平衡。在导带和价带之间，由于能量差别较大，不易达到平衡。即可认为导带和价带内部各自基本上处于平衡，称为准平衡。可以有各自的费米能级EFn和EFp，称为准费米能级。但导带和价带之间不平衡，所以EFn和EFp不重合。 因此（EFn-EF)和（EF-EFp)也可以作为对热平衡偏离大小的量度。 例题 在平衡和稳态条件下，半导体光照前和光照后的特性曲线由能带图如图3所示。温度T=300K，ni=1010cm-3,?n=1345cm2/V?s, ?p=458cm2/V.s。根据这些已知条件求： 1. 平衡载流子浓度n0和p0。 2. 在稳态条件下的n和p 3. 掺杂浓度ND 4. 当半导体被光照射时，是否满足小注入条件？说明原因。 5. 在光照前和光照后，半导体的电阻率是多少？ 5.4复合理论 一、载流子的复合机理： ⅰ 按载流子能量状态改变形式分 直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁复合。 间接复合：电子与空穴通过禁带中的复合中心复合。 5.5 陷阱效应  5.5 陷阱效应  5.5 陷阱效应  5.5 陷阱效应  5.5 陷阱效应  5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 5.6 载流子的扩散运动 由于载流子的扩散、漂移、复合和产生等不同过程的存在，非平衡载流子随时间和空间变化所服从的规律 –连续性方程 S表示载流子的流量：即单位时间从单位面积流入或流出的电子或空穴的个数。 gn，gp表示电子或空穴的产生率 体积元dxdydz内产生的空穴数为gpdxdydz, 由于复合消失的空穴数为 解：原半导体均匀掺杂，因此n0，p0均匀； 光照后均匀吸收，则△n, △p均匀分布，无扩 散，也无飘移，连续性方程为： 例4. 均匀掺杂的n型半导体, 左端表面光照恒定, 加均匀电场, 体内gp=0, 求非平衡少子的分布 这个方程的两个根,一个大于0,一个小于0, 因为少子衰减的,所以只能取小于0的那个根 5.8连续性方程 单位时间单位体积内空穴和电子的变化率为： 5.8 连续性方程 5.8 连续性方程 三维情况： 连续性方程反映了半导体中少数载流子运动的普遍规律，它是研究半导体器件原理的基本方程之一。 连续性方程应用举例： 常见的特殊条件下的方程的简化： 1、稳态： 2、无浓度梯度或无扩散电流 5.8 连续性方程 3、无飘移电流或无电场 4、无复合 5、无外界作用 5.8 连续性方程 例1、光激发的载流子的产生: 保持温度在室温下，均匀施主掺杂的硅片在t=0时突然受到光照，假设ND=1015/cm3，τp=10-6s，整个半导体内单位时间，单位体积内光诱导产生的电子-空穴数为1017个，在t0时，求△p(t)？ 5.8 连续性方程 5.8 连续性方程 5.8 连续性方程 5.8 连续性方程 例2、光激发的载流子的衰减: 均匀半导体，光照后在内部均匀产生非平衡载流子△p，无电场，求光照停止后非平