第六章asihtft绝缘薄膜的沉积.pptVIP

一、绝缘层材料和沉积方法的选取 二、PECVD SiNx绝缘层 Ⅰ.PECVD SiNx沉积工艺 Ⅱ.SiNx栅绝缘层 Ⅲ.界面效应 Ⅳ.底栅绝缘层和顶栅绝缘层 Ⅴ.双层栅绝缘层 Ⅵ.背沟钝化绝缘层 三、与绝缘层有关的产效问题 四、总结 PECVD是一种理想的方法，原因有以下几点： a-Si:H普遍采用PECVD沉积 绝缘层/ a-Si:H层可以在一次真空泵抽真空过程（one－pump－down）中沉积，这样就保证了界面的洁净 绝缘层材料性能很容易调节，达到与某一a-Si:H层匹配使TFT特性最佳 在两个沉积步骤间加上一个等离子体步骤可使界面特性得到优化 采用SiNx做a-Si:H TFT绝缘层要优于其他PECVD绝缘材料 采用SiNx栅绝缘层的TFT比采用SiOx栅绝缘层的TFT具有较低的S和较小的Vth PECVD 沉积工艺 等离子能量（plasma energy）是一个重要因素 沉积能量和沉积速率的一般关系 （a）RI，（b）NH和SiH键与等离子能量的变化关系 薄膜的RI随着能量的增大而下降，达到最小值后，能量继续增大，变化关系 就反转了。RI最小值出现在Wcritical附近 ; SiH峰随着能量的增大而下降直至 能量达到Wcitical。当能量高于Wcritical时SiH峰就消失了 等离子体能量与薄膜应力的关系 当能量增大时薄膜应力从拉应力变为压应力，最小应力出现在Wcritical附近。这与薄膜中N浓度的变化趋势是一致的 等离子体能量与一致性的关系 PECVD 薄膜厚度均匀性随能量增大接近Wcritical而逐渐恶化，超过Wcritical时厚度均匀性变得很差 较大的沉积能量使等离子态粒子成核速率较高 通过控制等离子能量低于Wcritical可以减小沉积过程中粒子衍生（particle generation） 输入气流中氢含量对（a）薄膜中氢浓度和Si-H键，（b）沉积速率的影响 SiNx栅绝缘层 PECVD SiNx薄膜应该稍微多含氮（slightly nitrogen-rich ），并且要含有大量的氢（例如20％，甚至更高） 阈值电压和场效应迁移率与栅SiNx层中氮含量的关系 输入气流中H2/N2＋H2比率对倒置交错三层TFT的μeff和Vth的影响 栅SiNx薄膜的RI和倒置交错三层TFT的Vth的一般关系 薄膜的Egopt可以用作TFT的可靠性（reliability）的参照 界面效应 界面的粗糙度是由两种薄膜的沉积条件决定的粗糙薄膜 在高能量下沉积，而光滑薄膜在低能量下沉积 光滑的界面是保证TFT性能和可靠性的关键 具有光滑SiNx表面的TFT比具有粗糙SiNx表面的TFT有更高的μeff ； 具有光滑a-Si:H表面的TFT比具有粗糙a-Si:H表面的TFT有较低 的Vth和较高的μeff 界面态和应力效应 PECVD 薄膜既可以有拉应力也可以有压应力，这取决于氮含量或RI。当SiNx薄膜含氮或含硅量明显的高时两种薄膜之间的应力失配会变大。较高的应力失配是与低μeff及高ΔVth相对应的 栅绝缘层界面的改善 1、将暴露在、、或等离子体中或等离子自由氢粒子（plasma-free hydrogen radical）中 2、在栅绝缘层和a-Si:H薄膜之间加入薄界面层 底栅绝缘层和顶栅绝缘层 底栅（倒置，交错）TFT的性能比顶栅（常规或交错） TFT的性能要好，倒置交错TFT有较高的μeff 、较低的 Vth、较高的Ion和较低的ΔVth，因为： 界面及其附近的a-Si:H的带宽随沉积顺序的变化而改变 与倒置交错界面相比，交错界面具有较高的氢含量，较大的带尾态宽度和更严重的应力失配，这会导致TFT性能变差 交错界面通常比底氮化物结构具有更大的界面态密度 倒置交错TFT的栅绝缘界面比常规交错TFT的具有更低的氢含量 相同薄膜沉积条件条件下沉积的底栅和顶栅a-Si:H TFT的转移特性 （a）常规（交错）结构和（b）倒置交错结构中/a-Si:H界面及其附近区域的带宽（倒置交错结构中体a-Si:H的带宽比常规交错结构中的要低0.21eV ） 双层栅绝缘层 产效（yield）更高 晶体管特性更好 双层SiNx栅绝缘层TFT的μeff与界面SiNx沉积能量的函数关系 在双层栅绝缘TFT中应力失配是很重要的问题。很明显，TFT中不同薄膜间的应力失配较低时就能得到很好的性能 在多层TFT结构中总应力应该最低以便获得较好的器件性能。 背沟钝化绝缘层 背沟绝缘层材料，成分和沉积条件都会影响TFT性能 一般用SiNx作背沟钝化层比SiOx要好。