2012年高考物理电磁学专题.doc

2012年高考物理——电磁学专题 一、选择题（本大题共8小题，每小题6分，共48分） 1．如图4－1，一理想变压器原线圈接入一交流电源，副线圈电路中R1、R2、R3和R4均为固定电阻，开关S是闭合的．和为理想电压表，读数分别为U1和U2； 、 和为理想电流表，读数分别为I1、I2和I3．现断开S，U1数值不变，下列推断中正确的是 A．U2变小、I3变小 B．U2不变、I3变大 C．I1变小、I2变小 D．I1变大、I2变大2．如图4－2所示，水平地面上方矩形区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场，两个边长相等的单匝闭合正方形线圈Ⅰ和Ⅱ，分别用相同材料，不同粗细的导线绕制（Ⅰ为细导线）．两线圈在距磁场上界面高处由静止开始自由下落，再进入磁场，最后落到地面．运动过程中，线圈平面始终保持在竖直平面内且下边缘平行于磁场上边界．设线圈Ⅰ、Ⅱ落地时的速度大小分别为、，在磁场中运动时产生的热量分别为、．不计空气阻力，则A． B． C． D． 3某同学设计了一个转向灯电路如图4－3，其中L为指示灯，L1、L2分别为左、右转向灯，S为单刀双掷开关，E为电源.当S置于位置1时，以下判断正确的是 A.L的功率小于额定功率 B.L1亮，其功率等于额定功率 C.L2亮，其功率等于额定功率 D.含L支路的总功率较另一支路的大 4．如图4－4所示，光滑的“Π”形金属导体框竖直放置，质量为m的金属棒MN与框架接触良好，磁感应强度分别为B1、B2的有界匀强磁场方向相反，但均垂直于框架平面，分别处在abcd和cdef区域．现从图示位置由静止释放金属棒MN，金属棒进入磁场区域abcd后恰好做匀速运动．下列说法正确的有(　　) A．若B2＝B1，则金属棒进入cdef区域后将加速下滑 B．若B2＝B1，则金属棒进入cdef区域后仍将保持匀速下滑 C．若B2＜B1，则金属棒进入cdef区域后可能先加速后匀速下滑 D．若B2＞B1，则金属棒进入cdef区域后可能先减速后匀速下滑 5．光滑曲面与竖直平面的交线是抛物线，如图4—5所示，抛物线的方程是y=x2，下半部处在一个水平方向的匀强磁场中，磁场的上边界是y=a的直线（图中虚线所示），一个小金属环从抛物线上y=b（ya）处以速度v沿抛物线下滑，假设抛物线足够长，金属环沿抛物线下滑后产生的焦耳热总量是（ ） A．mgb B． C．mg(b－a) D． 6．如图4－6所示，电动势为E、内阻不计的电源与三个灯泡和三个电阻相接．只合上开关，三个灯泡都能正常工作．如果再合上，则下列表述正确的是A．电源输出功率减小B．上消耗的功率增大 C．通过上的电流增大D．通过上的电流增大 7．如图4－7所示，一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路．虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场．方向垂直于回路所在的平面．回路以速度v向右匀速进入磁场，直径CD始络与MN垂直．从D点到达边界开始到C点进入磁场为止，下列结论正确的是（ ） A．感应电流方向不变B．CD段直线始终不受安培力 C．感应电动势最大值E＝BavD．感应电动势平均值 8．在如图4－8所示的倾角为θ的光滑斜面上，存在着两个磁感应强度大小为B的匀强磁场，区域I的磁场方向垂直斜面向上，区域Ⅱ的磁场方向垂直斜面向下，磁场的宽度均为L，一个质量为m、电阻为R、边长也为L的正方形导线框，由静止开始沿斜面下滑，当ab边刚越过GH进入磁场Ⅰ区时，恰好以速度 v1做匀速直线运动；当ab边下滑到JP与MN的中间位置时，线框又恰好以速度v2做匀速直线运动，从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中，线框的动能变化量为△Ek，重力对线框做功大小为W1，安培力对线框做功大小为W2，下列说法中正确的有 （ ） A．在下滑过程中，由于重力做正功，所以有v2＞v1 B．从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中，机械能守恒 C．从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程，有（W1－△Ek）机械能转化为电能 D．从ab进入GH到MN与JP的中间位置的过程中，线框动能的变化量大小为△Ek= W1－W2 9．如图4—9所示，光滑的平行导轨P、Q相距=1m，处在同一水平面中，导轨左端接有如图所示的电路，其中水平放置的平行板电容器C两极板间距离d =10mm，定值电阻R1 =R3 =8Ω，R2 =2Ω，导轨电阻不计，磁感应强度B =0.4T的匀强磁场竖直向下穿过导轨平面，当金属棒ab沿导轨向右匀速运动（开关S断开）时，电容器两极板之间质量m =1×1014kg，带电荷量q =－1×1025C的粒子恰好静止不动；当S闭合时，粒子以加速度a =7m/s2向下做匀加速运动，取g =10m/s2，求： （1）