2012集成电路制造技术复习提纲.doc

集成电路制造技术复习提纲 单晶硅： 金刚石结构 点缺陷：肖特基缺陷和福伦克尔缺陷 线缺陷：位错 面缺陷 体缺陷 优点： 原料充分； 硅晶体表面易于生长稳定的氧化层； 重量轻，密度小； 热学特性好，线热膨胀系数小； 单晶圆片的缺陷少； 机械性能良好。 杂质： 间隙式杂质；替位式杂质 硅片制备： 单晶硅生长： 直拉法（CZ法）；生长过程为引晶-缩晶-放肩-等径生长-收尾 区熔法 籽晶，籽晶是作为复制样本，使拉制出的硅锭和籽晶有相同的晶向； 外延 外延，在微电子工艺中，外延(epitaxy)是指在单晶衬底上，用物理的或化学的方法，按衬底晶向排列（生长）单晶膜的工艺过程。新排列的晶体称为外延层，有外延层的硅片称为（硅）外延片。 外延种类 按材料划分：同质外延和异质外延 按工艺方法划分：气相外延（VPE)，液相外延(LVP)，固相外延 (SPE)，分子束外延（MBE) 用途： 在双极型电路中提高集电结击穿电压，降低集电极串联电阻，双极型集成电路电隔离； CMOS电路中避免了闩锁效应，避免了硅层中SiOx的沉积，使硅表面更光滑减少损伤 热氧化 氧化硅的性质：结晶型、非结晶型（无定形） 用途： 掺杂掩膜，芯片钝化、保护层，绝缘介质，器件的组成部分 氧化方法 干氧氧化：氧化膜致密性最好，针孔密度小，薄膜表面干燥，适合光刻，但是生长速率最慢； 湿氧氧化：氧化膜较干氧氧化膜疏松，针孔密度大，表面含水汽，光刻性能不如干氧，容易浮胶。湿氧与干氧比，水温越高，水汽就越多，二氧化硅生长速率也就越快； 水蒸汽氧化：在三种热氧化方法中氧化膜致密性最差，针孔密度最大，薄膜表面潮湿，光刻难，浮胶。但是，生长速率最快。 氧化工艺 掩膜氧化（厚氧化层）：干氧-湿氧-干氧。注意氧化结果。 薄层氧化（MOS栅）：干氧 ；掺氯氧化 。 热氧化机理 在热氧化的过程中，氧化反应将在SiO2-Si界面处进行，而不发生在SiO2层的外表层； 热氧化是通过扩散与化学反应来完成的，氧化反应是由硅片表面向硅片纵深依次进行的，硅被消耗，所以硅片变薄，氧化层增厚 氧化速率 影响氧化速率的因素 温度； 气体分压； 硅晶向； 掺杂。 扩散 扩散机构： 间隙式扩散 替位式扩散 间隙—替位式扩散 扩散掺杂方式 恒定表面源扩散。恒定表面源是指在扩散过程中，硅片表面的杂质浓度始终是保持不变的。恒定表面源扩散指硅一直处于杂质氛围中，硅片表面达到了该扩散温度的固溶度Cs。 限定表面源扩散。指杂质源在扩散前积累于硅片表面薄层δ内， Q为单位面积杂质总量， 扩散工艺： 两步工艺 分为预淀积（预扩散）、再分布（主扩散）两步 扩散源的选择： 固态源扩散，液态源扩散，气态源扩散。 离子注入 概念：离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质 离子注入的基本过程： 将某种元素的原子或携带该元素的分子经离化变成带电的离子 在强电场中加速，获得较高的动能 注入材料表层（靶）以改变这种材料表层的物理或化学性质 离子注入的特点： 各种杂质浓度分布与注入浓度可通过精确控制掺杂剂量（1011-1017 cm-2）和能量（5-500 keV）来达到 同一平面上杂质掺杂分布非常均匀（±1% variation across an 8’’ wafer） 非平衡过程，不受固溶度限制，可做到浅结低浓度 或深结高浓度 注入元素通过质量分析器选取，纯度高，能量单一 低温过程（因此可用多种材料作掩膜，如金属、光刻胶、介质）；避免了高温过程引起的热扩散；易于实现对化合物半导体的掺杂； 横向效应比气固相扩散小得多，有利于器件尺寸的缩小 可防止玷污，自由度大 会产生缺陷，甚至非晶化，必须经高温退火加以改进 设备相对复杂、相对昂贵（尤其是超低能量离子注入机） 有不安全因素，如高压、有毒气体 R：射程（range） 离子在靶内的总路线长度 Xp：投影射程（projected range） R在入射方向上的投影 LSS理论： 该理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程 (1) 核碰撞（nuclear stopping），在低能量下起主要作用（注入分布的尾端） (2) 电子碰撞 （electronic stopping），在高能量下起主要作用 损伤与退火 在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩散进入替位，有电活性；并使晶体损伤区域“外延生长”为晶体，恢复或部分恢复硅的迁移率，少子寿命 化学气相淀积 概念：化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是把构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底上淀积薄膜的工艺方法。 分类： 常压化学气相淀积（APCVD, Atmospheric pressu