关于物理气相沉积工艺及原理调研报告.doc

　关于物理气相沉积工艺及原理调研报告 一、PVD技术简介： 1、PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。 PVD技术出现于二十世纪七十年代末，制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。最初在高速钢刀具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视，人们在开发高性能、高可靠性涂层设备的同时，也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。与CVD工艺相比，PVD工艺处理温度低，在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响；薄膜内部应力状态为压应力，更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层；PVD工艺对环境无不利影响，符合现代绿色制造的发展方向。 二、PVD工艺的特点： 物理气相沉积具有金属汽化的特点，与不同的气体发应形成一种薄膜涂层。今天所使用的大多数 PVD 方法是电弧和溅射沉积涂层。这两种过程需要在高度真空条件下进行。 Ionbond 阴极电弧 PVD 涂层技术在 20 世纪 70 年代后期由前苏联发明，如今，绝大多数的刀模具涂层使用电弧沉积技术。 典型的 PVD 涂层加工温度在 250 ℃— 450 ℃之间，但在有些情况下依据应用领域和涂层的质量， PVD 涂层温度可低于 70 ℃或高于 600 ℃进行涂层，适合多种材质，涂层多样化 ，减少工艺时间，提高生产率 ；较低的涂层温度，零件尺寸变形小 ；对工艺环境无污染。 当前物理气相沉积分为三类，射频直流溅射、PLD、ion beam。 缺点，由于不同粒子溅射速率不同，所以物理气相沉积薄膜组分控制比较困难。 三、PVD技术的发展： 目前国内PVD技术的发展更具多元性及创新性，归纳起来有以下几种类型： ①阴极电弧法（Cathode Arc Deposition ） 国内已由小圆型阴极电弧技术发展到大面积阴极电弧技术及柱型靶阴极电弧技术，主要用于TiAlN等薄膜的制备。 ②热阴极法（Hot Cathode Plating ） 源于Balzers的技术，主要用于TiN等薄膜的制备。 ③磁控溅射法（Magnetron Sputter Plating ） 近年来，磁控溅射技术一直是国内涂层业的重点发展方向，先后出现了非平衡磁控溅射技术、磁控溅射加辅助离子源技术等，可制备各类薄膜。 ④磁控溅射附加阴极电弧法 目前国内已较多采用的技术，可用于多种薄膜的制备。 ⑤空心阴极附加磁控溅射及阴极电弧法 空心阴极在国内是一项传统技术，其应用市场仍旧存在。为了充分发挥此技术的特点，国内的研究者将空心阴极与磁控溅射技术、阴极电弧技术结合在一起，用于多元薄膜的制备，且这种全新的尝试已对市场产生了影响。 归纳起来，国内刀具涂层技术开发的目的仍以TiAlN薄膜为主，上述各类技术已可在切削刀具上制取多种膜层，包括TiAlN薄膜，但目前所欠缺的是应用基础的研究及工业化生产工艺稳定性的保障。 1、增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。 　　2、过滤阴极弧：过滤阴极电弧(FCA )配有高效的电磁过滤系统，可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净，经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%，并且可以过滤掉大颗粒， 因此制备的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蚀性能好，与机体的结合力很强。 　　3、磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。 　　4、离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上，沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压，因而离子能量更大，使得薄膜与基片结合力很好；离子电流更大，使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构，工艺控制精度可达几个埃，并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至最小。 四、物理气相沉积技术原理： 物理气相沉积技术中最常用的两种方法是真空蒸发和溅射。在薄膜淀积技术发展的最初阶段，由于蒸发法相对于溅射法具有很多优势，包括较高的淀积率，相对高的真空度，以及较高的薄膜质量等。但蒸发法固有的缺点限制了它在当今工艺中的应用，其一是台阶覆盖能力差，