第四部分 (第十篇)材料的电学性能2010.ppt

本章讲授的内容 1. 导电性能 2. 热电性能 3. 半导体导电性的敏感效应 4. 介质极化与介电常数 5. 电介质的介质损耗 6. 绝缘材料 第一节 导电性能 1.1.3 根据材料导电性能好坏，可把材料分为： 一、导电材料 二、绝缘材料 1.2 导电机理 △ 1.2.1.2 量子自由电子理论 1.没加电场时E-K关系曲线 2.电场对E-K关系曲线的影响 3.量子自由电子理论电阻的产生 实际金属内部还存在着缺陷和杂质，产生的静态点阵畸变和热振动引起的动态点阵畸变，对电子波造成散射而形成电阻。 4. 量子自由电子理论导出的电导率 根据能量按自由度均分原理，晶格振动时的平均势能与绝对温度成正比，即有： 5. 量子自由电子理论的局限性 1.2.1.3 能带理论 △ 单个原子的能级是分立的，当固体中N个原子紧密排列时，外层电子就不再仅受原来所属原子的作用，还要受到其他原子的作用,这使原来同一大小的能级彼此数值上就有小的差异。 金属晶格中原子很密集，能组成许多分子轨道，而且相邻的分子轨道间的能量差别很小。 同自由电子理论一样，也认为金属中的价电子是公有化和能量是量子化的，所不同的是，它认为金属中由离子所造成的势场不是均匀的，而是呈周期性变化的，能带理论就是研究金属中的价电子在周期势场作用下的能量分布问题的。 2.能带结构和导电机理 由于周期场的影响，使得价电子在金属中以不同能量状态分布的能带发生分裂，也就是说，有些能态是电子不能取值的。 由右图可以看到： 当-K1K K1时，曲线按抛物 线规律连续变化； 当K=?K1时，只要波数稍微增 大，能量便从A跳到B，存在 能隙； 同样，当K= ?K2时，也存在 能隙。 3. 能带理论的术语 满带：允带中所有的能级均被电子占据。 （1）导体 让我们考虑一种具有图10-5所示能带结构的金属，这种能带结构可能相当于钠(Z=11)的能级。 （2）绝缘体 （3）半导体 （3）本征半导体的能带结构 在外电场作用下，价带中的电子可以逆电场方向运动到这些空位上来，而本身留下新的空位。 空位顺电场方向运动，所以称此种导电为空穴导电。 空穴好像一个带正电的电荷，因此空穴导电也是属于电子电导的一种形式。 N型半导体的能带结构 P型半导体的能带结构 ＊PTC热敏陶瓷简介 我院“863”项目：“高性能PTC热敏陶瓷的制备”研究的就是通过掺杂引入施主离子使得陶瓷具有半导体效应。 只有晶粒充分半导化，晶界具有适当的绝缘性的BaTiO3陶瓷才具有显著的PTC效应。 1.2.2 无机非金属导电机理 材料的导电性是由于物质内部存在的带电粒子的移动引起的。这些带电粒子可以是正、负离子，也可以是电子或空穴，统称为载流子。载流子在外加电场作用下沿电场方向运动，就形成电流。可见，材料导电性的好坏，与物质所含的载流子数目及其运动速度有关。 点阵节点位置上若缺少离子，就形成“空位”，离子空位容易接纳临近来的离子，而空位本身就移到邻近位置上，在电场作用下，空位做定向运动引起电流。 1.2.2.1 离子晶体的导电机理 1. 晶体的离子电导可分为两大类： （1） 源于晶体点阵中基本离子的运动，称为离子 固有电导或本征电导。 这种离子自身随着热振动的加剧而离开晶格振点，形成热缺陷。 热缺陷的浓度随温度的升高而增大，因此本征电导率与温度的关系为： As取决于可迁移的离子数，即离子从一个空位到另一个空位的距离以及有效的空位数目； Es与可迁移的离子从一个空位跳到另一个空位的难易程度有关，通常称为离子激活能。 （2）杂质电导 此类电导是结合力较弱的离子运动造成的，这些离子主要是杂质离子，故称为杂质电导。 低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。 2. 如果只有一种载流子，电导率可用单项式表示： 写成对数形式为： 对于碱卤晶体，电导率大多满足二项公式： 例 题 1.2.2.2 玻璃的导电机理 在含有碱金属离子的玻璃中，基本上表现为离子电导。 玻璃的组成对玻璃的电阻影响很大，影响方式也很复杂。 1.3 超导体 1911年荷兰物理学家Kamerlingh Onnes发现了汞冷却到4K（液氦温度）时具有零电阻。 这种在一定的低温条件下材料突然失去电阻的现象称为超导电性。 超导体是等电位的，超导体内没有电场（只有电流而没有电阻）。 两个基本特征，三个性能指标 1.3.1 超导体的发展历程 超导体的发展主要在提高临界温度，已知有28种元素的单质可呈现超导态，其中铌的临界温度最高（9.13K),后来人们发现许多合金可呈超导态，其中1977年发现的Nb3Ge,Tc高达23K，是其中最高Tc者。 1986年4月IBM公司瑞士苏黎世研究实验室的J.G.Bednorz和K.A.Mueller发现镧钡铜的复合氧化物在30K显示超导性，激