4半导体元器件.pptVIP

2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线的三个工作区： 截止区 饱和区 放大区： Je正偏，Jc反偏。 uBE Uon ，硅管：0.6—0.8V， 锗管：0.2—0.3V。uCEuBE, 一般1V以上 iC受iB的控制，iC=βiB. 截止区： Je反偏，Jc反偏。uBE≤Uon, IB=0, IC=ICEO , 三极管几乎不导通 饱和区：Je正偏，Jc正偏 uBE Uon ，硅管：0.6—0.8V, 锗管：0.1—0.3V。 uCEuBE, iCβiB。 深度饱和 UCES=0.3V(硅管) , UCES =0.1V(锗管)。 晶体管的三种工作状态如下图所示 + UBE 0 ? IC IB + UCE ? (a)放大 ? UBC 0 + IC ? 0 IB = 0 + UCE ? UCC ? (b)截止 ? UBC 0 + + UBE ? 0 ? 管 型 工 作 状 态 饱和 放大 截 止 UBE/V UCE/V UBE/V UBE/V 开始截止 可靠截止 硅管(NPN) 锗管(PNP) 0.7 ?0.3 0.3 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.5 ?0.1 ?0 ≥0.1 ? ? ? ? ? ? ? ? (c)饱和 UBE 0 IB + UCE ? 0 ? UBC ≥ 0 ? ? ? ? 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 例5： 管 型 工 作 状 态 饱和 放大 截 止 UBE/V UCE/V UBE/V UBE/V 开始截止 可靠截止 硅管(NPN) 锗管(PNP) 0.7 ?0.3 0.3 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.5 ?0.1 ?0 ≥0 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数：?， 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC =IC UCE ? PCM 硅管允许结温约为140?C，锗管约为70?90?C。 ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大