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中国科技论文在线 第 ^l卷 第 11期 物 理 学 报 rot．¨ ． Ku．1l l’92年 11月 ACTA PHYSICA SlNlC^ NoT．． 1992 ， ，治治缛珲 离 高 绝 缘 体 中 的极 化 子。 f 一c彳 李景德 陆夏莲 雷德铭 —百苟；菰 磊，州m ， (二) 』 I’91年 12月 l1日收到 赢 待残的锁相放大器 ，在 一20屯至 t$O℃范围内测量了三釉高绝缘体的表面和 体 电 挈．埘察到传导极化子的眺跃导电和能莆导电；LiNbO，中两种导电塞的转变 温 度 为 38℃． 待导极化子可以被陷肼俘获而成为束缚极化子．后者 不是载流于-墨在外电场作用下艟产生 位移运动而提供起低频电极化效应．L~NbO，和 LiTaO，的表面存在大量钱电屏蔽电荷 ·ll它 们的表面传导电流却不比玻璃的大，而是提供了特删大的位移电流． 显得选 ；屏蕊电荷是处 于束缚极化子态．在 45，75和 131。c附近，弼察到 LiNbO，中游位移 电流 出现异常的现象． PACC：7780；7220；7138 一 、 传导极化子与束缚极化子 按照能带理论给 出的图象，半导体 中的载流子是导带庶部 的电子和价带预部的空穴 ， 参见 l(a)．当晶体的电阻率足够高 ，导带中的传导电子足够少时，这些 电子的电场可 以使其周围的晶格极化． 晶格极化产生的位 阱反过来 又使 电子的能量降低而成为 极 化 子 ，圾化子的运动实质上是电子带着它周 围的晶格极化畸变一起运动． 当温度不太高 }， 在导带底部 下附近形成一个狭的极化子锥带 ，参见图 I(b)．处于能带状态的极化子在 外 电场 中的运动受声子的散射而产生 电阻；当渴变升高时 电丑增大． 极化子可 以描述为 巨子与纵光支声子祸台的结果．当温立足够 高时耦台加强 ，最终使极化子局域化 ，极化子 能节变为一些局城能级 ，参见圈 l(c)．局域极化子可惜助于热运动 的激发越过某个位垒 跳 跃方式导毛． 这时 ，电阻随温度 升 高而藏小．能带极化子和 局域极化子都是城 梳 子，在其转变温度 r。上将 出现 电导率极小 ，这是极化予导毛的重要特征．在跳跃导 电中，电导率 比例于 exp(一WtkT)． 极化子能级和 争带嚆部的距离约为 的数量级； 为纵光支声子频率．位垒 高 度 ．应比这个距离更小．但在许多绝缘体 中，实验给 出的极化子跳跃导 电率 比例 于 exp—W ／kT)；其中 比 l寸：一个数量级．因此近年来一些作者认为传导极化子可 以被固体 中的陷 阱能级俘获而成为束缚极化子．后者须被热起扶舵量 激活后 才 能 成为传导极化子 ．因此 ，由图 1(d)得到 W — W 。+ W2。 (I) 高等学枝博士学科点专项科研基金资助的课题．