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CMOS静态特性
MOS器件的静态分析
院系：电子工程学院
专业班级：集电0903
姓名：郑燕燕
学号26）
日期：2012年5月7日
摘要 2
一、 实验目的 3
二、 实验内容 3
三、 实验过程 4
3.1 NMOS器件原理图设计 4
3.2 CMOS器件的静态分析与模拟 5
3.3 MOS器件的输出结果显示 5
四、实验小结 6
摘要
实验目的
1、熟悉并掌握Tanner Pro仿真工具的使用，能够进行较简单 的器件仿真。
2、分析MOS器件的工作原理并进行单个MOS器件的静态分析。
实验内容
熟悉了Tanner Pro软件的使用方法后，在S_Edit中画出单个CMOS器件（NMOS或PMOS），然后在T-Spice中生成对应的网表并对输入及输出进行处理，最终获得其静态特性曲线再加以分析。
实验过程
3.1 NMOS器件原理图设计
CMOS器件是一个四端器件，夹在栅端的电压决定了源端与漏端之间有多少电路流过。从最浅显的观点看，可以把MOS器件看成是一个开关。当栅压大于阈值电压时，在漏端和源端之间就形成了一导电沟道。当漏端和源端之间存在电压差时，电流就会在它们之间流动。其电路图如下：
其原理图编辑如下：
3.2 CMOS器件的静态分析与模拟
在S_Edit中只需画出待测MOS器件即可，然后在T_Spice中生成对应的网表，这时，一些待测量的值的设定十分重要。主要包括：栅源电压Vgs的线性变化以及漏源电压Vds的线性变换。由于CMOS静态分析主要是观察器件电流随电压值的变化曲线，所以，需对器件电流进行波形的仿真。仿真程序如下：
3.3 MOS器件的输出结果显示
横坐标为Vds，横坐标为器件电流Ids：
四、实验小结
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