SST25VF064C_cn中文数据手册.pdf

64 Mb SPI 串行双 I/O 闪存 SST25VF064C A Microchip Technology Company 数据手册 SST 25 系列串行闪存采用四线、兼容 SPI 的接口，从而实现占用较少电路板空间的 低引脚数封装，并最终降低总系统成本。SST25VF064C SPI 串行闪存采用 SST 专 有的高性能 CMOS SuperFlash® 技术制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计 （ split-gate cell design）和厚氧化层隧穿注入器 （thick-oxide tunneling injector） 可实现更高的可靠性和可制造性。 特性 • 单电压读写操作 • 页编程 – 2.7-3.6V – 每页 256 字节 – 单输入和双输入支持 • 串行接口架构 – 1.5 ms （典型值）的快速页编程时间 – 兼容 SPI：模式 0 和模式 3 • 写操作结束检测 • 双输入/ 输出支持 – 软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位 – 快速读取双输出指令 – 快速读取双 I/O 指令 • 写保护（WP# ） – 使能/ 禁止状态寄存器的锁定功能 • 高速时钟频率 – 高速读 （0BH ）时为80 MHz • 软件写保护 – 快速读取双输出 （3BH ）时为75 MHz – 通过状态寄存器中的块保护位实现写保护 – 快速读取双 I/O （BBH）时为50 MHz – 读取指令 （03H ）时为33 MHz • 安全 ID – 可一次性编程（One-Time Programmable，OTP ） • 超高可靠性 的256 位安全 ID – 可擦写次数：100,000 次（典型值） - 出厂前预编程的64 位惟一标识符 – 数据保存时间大于 100 年 - 192 位用户可编程 • 低功耗 • 温度范围 – 读操作工作电流：12 mA （80 MHz 时的典型值）， – 商业级：0°C 至 +70°C 对于单个位读取 – 工业级：-40°C 至 +85°C – 读操作工作电流：14 mA （75 MHz 时的典型值），