760MeV质子辐照对纯铝和铝合金电阻率的影响.pdfVIP

　第33卷第1期 原 子 能 科 学 技 术 . 33, . 1 V o l N o 　1999年1月 A tom ic Energy Science and T echno logy Jan. 1999 760 M eV 质子辐照对纯铝和铝合金 电阻率的影响 林少非 ( 中国原子能科学研究院反应堆工程研究设计所, 北京, 102413) W F Somm er ( , , 87545, ) L o s A lamo s N ational L abo rato ry L o s A lamo s NM U SA 利用 3 透射电镜样品测量 6 级铝和铝合金( 11 % 0 5 % 与 2 7 % ) mm N A l M g Si A l M g 经 760 M eV 质子辐照后电阻率或电阻值的变化。讨论了造成电阻率变化的主要原因。 关键词　铝　铝合金　电阻率　辐照效应 中图法分类号　 483　 341 O TL 铝合金有较低的中子吸收截面和良好的性能, 且在高能中子作用下仅生成短寿命放射性 同位素, 有可能用作高功率中子源的结构材料。因此, 它们在高能中子辐照下的行为受到了重 视。在辐照损伤和辐照效应的基本研究方面, 纯铝是比较合适的材料。研究辐照过程中缺陷的 产生与退火, 实验上常用电阻率测量法。电阻测量便捷, 易于跟踪退火行为或材料微观结构的 演变过程。在已知每 1 种点缺陷的电阻率增量的条件下, 可对点缺陷的浓度和产生速率作出绝 对测量, 这对辐照损伤的研究有重要意义。 本工作利用L o s A lam o s 国家实验室的介子物理实验装置(LAM PF ) , 以760M eV 质子束 和该质子束与金属靶相互作用产生的散裂中子辐照直径 3 mm 、厚度约为 025 mm 的铝和铝 合金圆片样品, 采用电阻率测量法研究在较高能量质子和中子辐照下的微观结构和性能变化。 1　实验方法 在圆片样品上测量金属的电阻率采用四探针法。为了得到比较大的电压信号, 电流的引 入、引出点设置在圆的直径的两端, 电压探针置于此直径上的2 个对称点。电阻测量过程中, 通 过样品的电流 是稳定的直流, 所产生的电场可视作静电场。对于厚度均匀的薄片, 这是个二 I 维场, 它的电势分布可以用保角变换法求解。对图 1 所示的单位圆, x 2 和x 3 两点间的电压V 23 [ 1 ] 与样品电阻率 的关系 为 林少非: 男, 60 岁, 核材料专业, 副研究员 收稿日期:收到修改稿日期: © 1994-2006 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 第1期　林少非等: 760M eV 质子辐照对纯铝和铝合金电阻率的影响 31 ( 1 - x 2 ) ( 1 + x 3 ) V 23 = (I t) ln ( 1 + x 2 ) ( 1 - x 3 ) 或测量电阻R