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单管共射放大电路的原理电路 阻容耦合共射放大电路 例1：判断如下电路是否有放大作用，说明理由。 例1：判断如下电路是否有放大作用，说明理由。 例1：判断如下电路是否有放大作用，说明理由。 接RE的共发放大器 RC RB vs + - RL + - vo RS + - vi RE （交流通路） rb?e ? ib ii io RC RB vs + - RL + - vo RS + - vi rce ib RE （微变等效电路） 其中 共发电路射极接电阻RE后： 由于RE的负反馈作用，使Ri增大、Ro增大，放大 器更接近理想的互导放大器。 由于RE的负反馈作用，不仅增益稳定性提高，而 且还便于集成化。 因为 ， 因此 当RE ??时 此时，Avt近似等于两电阻的比值，与三极管参数?无关。 存在问题： RC?? Av ? ? 但集成因难 交流工作时： 直流工作时： RC?? VCEQ ? ?易饱和失真 采用有源负载的共发放大器 解决方法：用恒流源（有源负载）取代电阻RC 。 恒流源特点：直流电阻小，交流电阻大。 RL vo vi VCC R1 R2 RE T1 T2 RL vo vi VCC T1 ICQ 其中 等效为 共源放大器 4.3.4 共源、共栅和共漏放大器的性能 场效应管电路性能特点、分析方法与三极管放大器相似。不同之处仅在于，FET管的ig=0。 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi gmvgx RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi rds g s Ri Ro 接R?S的共源放大器 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S gmvgx RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi rds g s Ri Ro R?S R?o 不变 经推导 则 增大 减小 共栅放大器 vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - vs + - RL + - vo R?S RS RD gmvgs ii io + - vi g s Ri? i?i 因为 所以 而 共漏放大器 RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S g R?S RG vs + - RL + vo RS + - vi rds - gmvgs s 经推导 FET三种组态电路性能比较 小 大 小 大 大 ?1 大 大 大 RD RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S vs + - RL + - vo R?S RS RD vi + - RG vs + - RL + - vo RS + - vi R?S 共源 共栅 共漏 Ri Ro Av 4.3.5 集成MOS放大器 集成MOS放大器与分立MOS放大器电路结构相同，只是为了提高集成度，集成MOS放大器中的负载电阻采用了以不同方法实现的有源电阻。 集成MOS放大器类型： NMOS放大器 CMOS放大器 放大管NEMOS 负载管NEMOS 放大管NEMOS 负载管NDMOS E/EMOS放大器 E/DMOS放大器 放大管、负载管均为E型 但沟道互补 E/EMOS放大器 VDD + - vo + vi T2 T1 - 要求两管工作在饱和区， 交流通路 gm1vgs1 + - vo + - vi rds1 g1 s1 rds2 gm2vgs2 gmu2vus2 微变等效电路 由于gm2vgs2= -gm2vo ， 则受控源 gm2vgs2等效为电阻：1/gm2 因 gmu2vus2= -gmu2vo ， 则受控源 gmu2vus2等效为电阻：1/gmu2 ， 即 + - vo + vi T2 T1 - g2 s2 g1 s1 输出电阻Ro计算： RL vS + - vo 放大