关于LED特性及应用-.ppt

LED特性及其应用 LED特性及其应用 一.LED的特性 1.LED的发展 二元芯片GaP（磷化镓） 三元芯片GaAsP（磷化砷镓） 四元芯片InGaAlP（磷化铝铟镓） 蓝、绿芯片InGaN（氮化铟镓） 白光芯片 2.LED的基本特点 a.体积小 b.寿命长 c.驱动电压低 d.耗电量低 e.反应速率快 f.耐震性好 g.单色性佳 h.无污染 I.热影响较大 J.具有衰减性 K.易受静电损伤 3.LED的产业链 上游：外延片生产 中游：芯片生产 下游：芯片封装 外延工艺：衬底 结构设计 缓冲层生长 N型层生长 发光层生长 P型层生长 退火 检测 外延片 芯片工艺：外延片 设计、加工掩模版 光刻 离子刻蚀 N型电极 P型电极 划片 分检 包装 封装工艺：扩晶 固晶 烘烤 焊线 封胶 外观 测试分光 包装 4.LED的发光原理 LED（发光二极管）也叫注入型电致发光器件。其发光原理是：由于载流子的扩散运动和由此产生内电场作用下的漂移运动达到平衡而形成的PN结。加一正电压于PN结促进扩散运动的进行（即从N区流向P区的电子和从P区流向N区的空穴同时增多），电子和空穴结合发光。 （能量转变是：电能 光和热） 5.产生光色的多样性 LED是利用化合物半导体（主要是III-V族化合物半导体）中电子由高能级至低能级与空穴复合时释放出电子，且能量（能量级差）大小不同，产生光的频率和波长也不同的原理，直接发出人眼可看到的红、橙、黄、绿、蓝等颜色的可见光及近红外、紫外的不可见光。 IR值(反向漏电流值) LED具有二极管的反向击穿现象，其反向漏电流值随反向电压值的增大而增大，直至击穿。 IV值（光强值 单位:mcd） LED光源具有指向性。就目前来说，芯片有两种测试标示方式：美国一般采用mw的标示方式，而日本、台湾一般采用mcd的标示方式。 LED LAMP的测试方式有两种：积分球和镜头 普通LED ：以mcd表示。 大功率LED ：以lm表示。（其值为光通量值） λD(主波长 单位:nm) 波长对应表 2θ1/2(半强角 单位:°) X、Y值(CIE坐标值) X、Y值是作为白光颜色分选的两个参数值。因为白光和其它单色光不同，白光是一种混合光，其光谱分布较广，而其它单色光光谱分布较窄。因此，白光不宜用主波长来进行分选。 单色光波形 g.FWHM(half-power wavelength,半波宽 单位:nm) 半波宽值决定颜色的清晰度(其频谱范围越小则人眼所感觉到的颜色较清晰,通常III-V族 的半波宽范围在30—50nm。 色温 单位：绝对温度 ( Kelvin, K ) 一个光源之色温被定义为与其具有相同光色之“标准黑体” 本身之绝对温度值， 此温度可以在色度图上之普朗克轨迹上找到其对应点。标准黑体之温度越高,其 辐射出之光线光谱中蓝色成份越多,红色成份也就相对的越少。以发出光色为暖白 注：白光色温是有X/Y值来决定的 2000-3000K 为暖白 3000-5000K 为白偏黄 5000-8000K 为正白 8000-10000K 为冷白 10000以上为白偏蓝 LED常规特性曲线(1) 特性曲线(2) LED的驱动方式： LED 的 应 用 面板显示器 背光源 交通指示灯 汽车灯 LED的产品种类多,应用非常广泛.在我们的生活中到处都是:下面是汽车及公路上的应用: 生活中的LED: 身边的LED 生活中到处都可见到的LED灯: 本节结束，谢谢大家！！！ * 封装研发部 A 6.LED的主要性能参数 VF值(正向电压值) LED具有二极管的单向导电性,其正向电压值随正向电流值的增大而增大。 V A A V 光通量Φv Luminous flux 通过发光二极管的正向电流为规定值时，光源所发射并被人眼感知的所有辐射能称之为光通量单位流明(LM) 大功率LED ：以lm表示。（其值为光